[发明专利]一种制备CdTe多晶薄膜的方法

权利要求书

1.一种制备CdTe多晶薄膜的方法，其特征在于，所述的制备方法包括以下步骤：

1）在磁控溅射炉放置基片的位置放上具有透明导电薄膜的基底，通过导电的固定基片的探针，使基底透明导电薄膜和外加电压设备相连；然后关闭磁控溅射真空腔室，对腔室内抽真空，同时对基底进行加热；

2）当磁控溅射腔室的背底真空至少到达10^-3Pa以下时，基底温度到达设定的温度时，开始在具有透明导电薄膜的基底上溅射CdS多晶薄膜；当CdS厚度到达设定的厚度时，停止CdS的生长，然后把基片转向到正对CdTe靶的位置，启动射频电源开始溅射CdTe薄膜，同时打开外接的施加电压的设备对基片施加偏压，直到CdTe的厚度达到预设的厚度；把外接的施加电压的设备关闭，同时停止CdTe薄膜的生长，停止对基底加热，随炉冷却。然后取出生长了CdS和CdTe薄膜的基片；

3）在CdCl₂气氛中对制备的CdS和CdTe薄膜进行退火处理；在CdCl₂处理后的CdTe薄膜上蒸镀导电背电极。

2.根据权利要求1所述的制备CdTe多晶薄膜的方法，其特征在于，所述的步骤2）中，对基底加热的温度范围为25℃到1100℃。

3.根据权利要求1所述的制备CdTe多晶薄膜的方法，其特征在于，所述的步骤2）的操作步骤为：

当基底温度达到25℃-1100℃，通入高纯Ar气，气体流速5sccm-100sccm，腔室压强0.1Pa-10Pa；当基底上所溅射的CdS薄膜厚度为20nm-500nm时，停止CdS薄膜的制备；把基底转向正对CdTe靶的位置，开始溅射CdTe薄膜；CdTe薄膜的溅射条件为：基底温度25℃-1100℃，通入高纯Ar气，气体流速5sccm-100sccm，腔室压强0.1Pa-10Pa；对基底施加的偏压为：+10V~-200V；当基底上所溅射的CdTe厚度达到0.5μm-10μm时，停止CdTe薄膜的制备。

4.根据权利要求1所述的制备CdTe多晶薄膜的方法，其特征在于，所述的步骤3）对所制备的CdS薄膜和CdTe薄膜进行CdCl₂退火处理的操作步骤是：在CdCl₂气氛中，在350℃-450℃对CdTe薄膜处理5min-120min。