[发明专利]一种刻蚀设备及其上部电极

说明书

技术领域

本发明涉及机械结构领域，具体涉及一种刻蚀设备及其上部电极。

背景技术

干法刻蚀是通过等离子体与未被掩模层覆盖的膜层材质反应来剥离、去除膜层材质的一种微加工方法。

现有技术下的干法刻蚀设备采用的是如图1所示的上部电极，电极孔分布非常规律，布满整个上部电极。这种电极孔的分布方式没有与所刻蚀膜层的材质相结合起来进行分布设置，并不适用与所述的刻蚀膜层材质，很容易造成刻蚀后的刻蚀率均一性过大，影响刻蚀的效果，其中整张玻璃基板的刻蚀率均一性=刻蚀率最大值-刻蚀率最小值/2（刻蚀率平均值）。

发明内容

本发明实施例提供了一种刻蚀设备及其上部电极，用以改善刻蚀后膜层的刻蚀率均一性。

本发明实施例的主要技术方案是：

一种刻蚀设备的上部电极，所述上部电极上设有多个电极孔，所述上部电极至少由第一区域和第二区域组成，所述电极孔在所述第一区域的分布密度和所述电极孔在所述第二区域的分布密度不同。

一种刻蚀设备，包括上述的上部电极。

本发明实施例，根据所刻蚀膜层材质不同，改变上部电极上的电极孔的设置区域和电极孔间的间隔，从而实现了改善刻蚀均一性的目的。

附图说明

图1为本发明实施例提供的一种现有技术的上部电极结构示意图；

图2为本发明实施例提供的一种采用现有技术的上部电极刻蚀后的刻蚀率分布示意图；

图3为本发明实施例提供的一种本发明的上部电极结构示意图；

图4为本发明实施例提供的一种本发明的上部电极结构示意图；

图5为本发明实施例提供的一种本发明的上部电极结构示意图；

图6为本发明实施例提供的一种本发明的上部电极结构示意图；

图7为本发明实施例提供的一种本发明上部电极的电极孔分布示意图。

具体实施方式

本发明实施例提供了一种刻蚀设备及其上部电极，用以改善刻蚀后膜层的刻蚀率均一性。

本发明实施例提供的一种刻蚀设备的上部电极，所述上部电极上设有多个电极孔，通过所述电极孔用以输送刻蚀所需的气体，所述上部电极至少由第一区域和第二区域组成，所述电极孔在所述第一区域的分布密度和所述电极孔在所述第二区域的分布密度不同。在实际工作中，需要根据刻蚀的不同的膜层材质决定第一区域和第二区域的分布区域和其上电极孔分布密度，在一些情况下，所述第一区域和所述第二区域的电极孔分布密度可以为零。可以通过反复试验进行多次调整，目的是通过改变上部电极上的电极孔的设置区域和电极孔间的间隔，改变刻蚀过程中，所用刻蚀气体的密度，进而减小率刻蚀均一性。

所述多个电极孔在所述第一区域优选呈矩阵分布，便于加工生产。

以下提供几个本发明的具体实施例，对本发明的技术方案进行说明：

实施例一：

本实施例中选取的刻蚀膜层材质为，SiNx(氮化硅)，使用的气体是O2(氧气),SF6(六氟化硫)，申请人首先采用现有技术下的布满电极孔且电极孔间距相等的上部电极对SiNx进行刻蚀，得出的刻蚀率均一性为36%左右，如图2所示，图中浅色的部分处刻蚀率过大造成了刻蚀率均一性不佳的问题，根据图2的刻蚀率分布图，申请人将对应的上部电极采用本发明中图3所示的上部电极，将刻蚀率过高的区域不设置电极孔，以降低这部分区域的刻蚀率，经过实验后，得出的刻蚀率均一性大约为24%，刻蚀率均一性降低了一半左右，达到了改善刻蚀率均一性的目的。

所述上部电极的形状和大小可以根据需要设置，一般为长方形，所述第一区域和第二区域的形状和大小也可根据需要进行设置，如图3所示，可以为不规则图形。为了实施方便一般设置为正方形或长方形，所述上部电极一般可采用尺寸为1007*1087.5mm的长方形上部电极，

以下提供几种本发明上部电极采取尺寸为1007mm*1087.5mm时的实施例：

如图4所示，所述第一区域设置在所述上部电极中部，所述第二区域为电极孔分布密度为零的空白区域，设在所述第一区域的外围。本图4中为4个空白区域，设置在所述上部电极的四个边角部位，所述空白区域的边长可以为a=b=250mm~300mm。

进一步地，在上述情况下，根据需要，所述上部电极的中部除了设置第一区域外，也可设有所述空白区域，本发明提供一种实施例，如图5所示，在所述第一区域的中心部位设置了空白区域。其中，本图5中所述空白区域的边长可以设置为c=250mm~300mm,d=400mm~600mm。