[发明专利]启动器的过流保护装置以及启动器有效
申请号: | 201210266695.9 | 申请日: | 2012-07-30 |
公开(公告)号: | CN102842899A | 公开(公告)日: | 2012-12-26 |
发明(设计)人: | 汪宁;李国宏;汪辉;陈杰;章琦;袁盾山 | 申请(专利权)人: | 上海中科高等研究院 |
主分类号: | H02H9/02 | 分类号: | H02H9/02 |
代理公司: | 上海翼胜专利商标事务所(普通合伙) 31218 | 代理人: | 孙佳胤;翟羽 |
地址: | 201210 *** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 启动器 保护装置 以及 | ||
技术领域
本发明是关于一种过流保护装置,特别涉及一种用于启动器的过流保护装置,以及带有所述过流保护装置的启动器。
背景技术
芯片启动器是内置于芯片中的元件,用于在芯片启动时逐渐升高启动电流,避免瞬间电流增长而将芯片烧毁。而要控制芯片启动电流,一个重要的手段就是在启动器中增加过流保护装置。
过流保护装置的作用在于在芯片启动之后,通过电学元件将芯片的工作电流限制在某一范围内,避免大电流烧毁芯片。
发明内容
本发明所要解决的技术问题是,提供一种启动器的过流保护装置,以及带有所述过流保护装置的启动器,能够起到限流作用。
为了解决上述问题,本发明提供了一种启动器的过流保护装置,包括一上拉晶体管、一输入采样晶体管和一控制晶体管;所述输入采样晶体管的栅极电学连接至过流保护装置的控制端,源/漏极电学连接至上拉晶体管的栅极,漏/源极接地;所述控制晶体管的栅极电学连接至一控制信号端;源/漏极电学连接至上拉晶体管的栅极,漏/源极电学连接至高电平端;所述上拉晶体管的漏/源极电学连接至高电平端,源/漏极电学连接至过流保护装置的输出端。
可选的,进一步包括一密勒电容,所述电容的一端电学连接至控制晶体管的栅极,另一端电学连接至控制晶体管的源/漏极。
可选的,进一步包括一电阻,所述电阻设置于控制晶体管漏/源极与系统高电平端之间。
本发明进一步包括了一种启动器,包括一启动模块和一负载电流采样装置,其特征在于,进一步包括一上述过流保护装置,所述启动模块的输入端电学连接至启动信号端,输出端连接至启动器的输出端;所述负载电流采样装置的输入端电学连接至启动信号端,第一输出端电学连接至启动器的输出端,第二输出端电学连接至过流保护装置的输入端;所述过流保护装置的输出端电学连接至启动信号端。
可选的,所述负载电流采样装置进一步包括一输出晶体管,所述输出晶体管的栅极电学连接至过流保护装置的输入采样晶体管的栅极,与之呈镜像关系,所述输出晶体管的漏/源极接地。
可选的,所述启动装置中进一步包括一下拉晶体管,所述下拉晶体管的源/漏极电学连接至启动器的启动信号端,漏/源极接地。
在本发明提供的技术方案中,过流保护电路采样负载电流。当负载电流在正常范围内时,采样电流较小,过流保护电路不起作用;当负载电流增大(输出降低)到一定值以致于使启动电路重新工作或者输出短路,此时上拉晶体管可以保证把启动信号端限制在某个值以下,从而起到限流作用。
附图说明
附图1所示是本发明的具体实施方式所述启动器的架构图。
附图2是附图1所示架构的一种电路图。
具体实施方式
接下来结合附图详细介绍本发明所述用于启动器的过流保护装置以及带有所述过流保护装置的启动器的具体实施方式。
附图1所示是本具体实施方式所述启动器的架构图,包括启动模块10、负载电流采样装置11以及过流保护装置12。
附图2是附图1所示架构的一种电路图。
参考附图1和附图2所示,所述启动模块10的输入端电学连接至启动信号端,输出端连接至启动器的输出端。当系统刚加电时,启动器的输出端信号为零,由于误差放大器U5的电源偏置为OUT(LOUT!),误差放大器不能工作,其输出信号无法启动调整管工作,所以增加了启动模块10。启动模块10由一使能控制端ENCA控制,只有当使能控制端ENCA为低电平时,启动模块10工作,控制调整管的栅极,即启动信号端GDRIVER而使调整管工作起来;当输出达到一定值(该值至少可以使误差放大器开始工作),输出反馈将启动电路关闭。完成启动后,启动信号端GDRIVER由误差放大器输出控制。
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