[发明专利]具有温度保护电子开关的电路有效
申请号: | 201210266728.X | 申请日: | 2012-07-30 |
公开(公告)号: | CN102904555A | 公开(公告)日: | 2013-01-30 |
发明(设计)人: | R.伊林 | 申请(专利权)人: | 英飞凌科技奥地利有限公司 |
主分类号: | H03K17/08 | 分类号: | H03K17/08 |
代理公司: | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人: | 马永利;李家麟 |
地址: | 奥地利*** | 国省代码: | 奥地利;AT |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 具有 温度 保护 电子 开关 电路 | ||
1. 一种电子电路,包括:
电子开关,其被集成在半导体本体中并且具有控制端子;以及
驱动电路,其被耦合到所述控制端子并且包括温度保护电路,所述温度保护电路包括:
第一温度传感器,其具有位于所述半导体本体上的第一位置的第一传感器元件,第一温度传感器被配置成提供代表在第一位置处的温度的第一温度信号;以及
温度传播检测电路,其被配置成检测所述半导体本体中的温度传播并且被配置成提供温度传播信号;
其中所述温度保护电路被配置成当在第一位置处的温度上升到第一阈值以上时关断所述电子开关;以及
其中,第一阈值取决于所述温度传播信号。
2. 根据权利要求1所述的电子电路,其中,所述温度传播检测电路还包括第二温度传感器,第二温度传感器具有位于远离第一位置的第二位置的第二传感器元件,并且第二温度传感器被配置成提供代表在第二位置处的温度的第二温度信号。
3. 根据权利要求2所述的电子电路,其中,所述温度传播检测电路被配置成根据第一温度信号与第二温度信号之间的差来生成所述温度传播信号。
4. 根据权利要求2所述的电子电路,
其中,所述半导体本体包括其中集成了所述电子开关的第一有源区,
其中,第一温度传感器被布置在第一有源区内,以及
其中,第二温度传感器被布置在第一有源区之外。
5. 根据权利要求2所述的电子电路,
其中,所述温度保护电路还包括第三温度传感器,其具有位于远离第一位置和第二位置的第三位置的第三传感器元件,第三温度传感器被配置成提供代表在第三位置处的温度的第三温度信号,以及
其中,所述温度保护电路还被配置成当在第一位置处的温度与在第三位置处的温度之间的温度差上升到第二温度阈值以上时关断所述电子开关。
6. 根据权利要求5所述的电子电路,
其中,所述半导体本体包括其中集成了所述电子开关的第一有源区,
其中,第一温度传感器被布置在第一有源区内,以及
其中,第二温度传感器被布置在第一有源区之外,
以及其中,第三温度传感器被布置在所述有源区之外并且被布置成比第二温度传感器更加远离所述有源区。
7. 根据权利要求5所述的电子电路,其中,第二温度阈值取决于所述温度传播信号。
8. 根据权利要求5所述的电子电路,其中,所述温度传播检测电路被配置成根据第一温度信号与第二温度信号之间的差来生成所述温度传播信号。
9. 根据权利要求8所述的电子电路,其中,所述温度保护电路被配置成当在第一温度信号与第二温度信号之间的差增大时和/或当在第一温度信号与第二温度信号之间的差上升到温度差阈值以上时减小第一阈值。
10. 根据权利要求5所述的电子电路,其中,所述温度传播检测电路被配置成根据第二温度信号与第三温度信号之间的差来生成所述温度传播信号。
11. 根据权利要求10所述的电子电路,其中,所述温度保护电路被配置成当在第二温度信号与第三温度信号之间的差增大时和/或当在第二温度信号与第三温度信号之间的差上升到温度差阈值以上时减小第一阈值。
12. 根据权利要求1所述的电子电路,其中,所述电子开关包括MOSFET。
13. 根据权利要求1所述的电子电路,其中,第一传感器元件被实施为二极管、电阻器、或双极型晶体管。
14. 一种用于驱动集成在半导体本体中的电子开关的方法,所述方法包括:
测量在所述半导体本体的第一位置处的第一温度;
检测所述半导体本体中的温度传播;以及
当在第一位置处的温度上升到第一阈值以上时关断所述电子开关,其中第一阈值是根据所检测到的温度传播来设置的。
15. 根据权利要求14所述的方法,还包括测量在所述半导体本体的远离第一位置的第二位置处的第二温度。
16. 根据权利要求15所述的方法,其中,检测温度传播包括评估第一温度与第二温度之间的差。
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