[发明专利]用于RF-LDMOS器件的新型栅结构

权利要求书

1.一种用于RF-LDMOS器件的新型栅结构，包括RF-LDMOS基本结构（1），RF-LDMOS基本结构（1）包括最下层的重掺杂衬底（2）区、设于重掺杂衬底（2）区上的外延层（3）以及设于外延层（3）上方的栅（13），所述的外延层（3）内设置有重掺杂源区（8）、重掺杂漏区（6），所述的重掺杂源区（8）、重掺杂漏区（6）分别位于栅（13）的不同侧，在所述的外延层（3）内位于所述的重掺杂源区（8）、重掺杂漏区（6）之间依次设有沟道区（9）以及漏漂移区（5），所述的沟道区（9）与重掺杂源区（8）和漏漂移区（5）相接触，其特征在于，所述的重掺杂源区（8）和重掺杂衬底（2）之间设置有重掺杂连接或用导电物填充的沟槽（4），沟槽内的重掺杂或者导电物与重掺杂衬底（2）和重掺杂源区（8）相接触，所述的漏漂移区（5）与重掺杂漏区（6）相接触，所述的栅（13）位于沟道区（9）上方，所述的栅（13）上覆盖有一层栅极扩展层（14），所述的栅极扩展层（14）与栅（13）相接触。

2.根据权利要求1所述的用于RF-LDMOS器件的新型栅结构，其特征在于，所述的覆盖在栅（13）上的栅极扩展层（14）完全覆盖栅（13），并向重掺杂源区（8）和重掺杂漏区（6）延伸相同的距离。

3.根据权利要求1所述的用于RF-LDMOS器件的新型栅结构，其特征在于，所述的覆盖在栅（13）上的栅极扩展层（14）完全覆盖栅（13），并向重掺杂源区（8）延伸的距离较短甚至为零，向重掺杂漏区（6）延伸的距离较长。

4.根据权利要求1或2或3所述的用于RF-LDMOS器件的新型栅结构，其特征在于，所述的栅极扩展层（14）的材料可以是重掺杂的半导体或者金属硅化物或者金属。

5.根据权利要求1所述的用于RF-LDMOS器件的新型栅结构，其特征在于，所述的外延层（3）上方设有源端金属引线（12）和漏端金属引线（11）共两个金属引线，所述的源端金属引线（12）与重掺杂源区（8）相接触将源端引出，也可以通过重掺杂连接或用导电物填充的沟槽（4）连接到重掺杂衬底（2）直接引出，所述的漏端金属引线（11）与重掺杂漏区（6）相接触将漏端引出。

6.根据权利要求1所述的用于RF-LDMOS器件的新型栅结构，其特征在于，所述的栅（13）与外延层（3）之间设有用于绝缘的氧化层（10）。

7.根据权利要求1所述的用于RF-LDMOS器件的新型栅结构，其特征在于，所述的沟道区（9）下方设有重掺杂区（7），用于为沟道区（9）提供一个固定的电位。

8.根据权利要求1所述的用于RF-LDMOS器件的新型栅结构，其特征在于，在从栅（13）朝向漏漂移区（5）的水平方向上设有一层场板（15），所述的整体呈阶梯状的场板（15）的一端覆盖在栅极扩展层（14）的上方，所述的场板（15）的另一端在漏漂移区（5）上具有水平延伸。