[发明专利]一种透明导电薄膜及其制备方法

权利要求书

1.一种透明导电薄膜，其特征在于，该导电薄膜包括作为缓冲和匹配作用的SnO₂层，作为导电作用的Cu层，以及作为高功函作用的ReO₃层；且SnO₂层、Cu层和ReO₃层形成SnO₂-Cu-ReO₃三文治结构；SnO₂层、Cu层和ReO₃层的厚度分别为30~100nm、5~50nm和0.5~5nm。

2.根据权利要求1所述的透明导电薄膜，其特征在于，所述SnO₂层、Cu层和ReO₃层的厚度分别为80nm、25nm和2nm。

3.一种的透明导电薄膜的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：

S1、把衬底、SnO₂、Cu和ReO₃分别放入蒸镀设备真空腔的四个钼舟中，并对真空腔抽真空；

S2、制备透明导电薄膜：首先，控制蒸发速度为1~50nm/min，在衬底表面制备厚度为30~100nm且起缓冲和匹配作用的SnO₂层；接着，控制蒸发速度为0.5~20nm/min，在SnO₂层表面制备厚度为5~50nm且起导电作用的Cu层；最后，控制蒸发速度为0.1~10nm/min，在Cu层表面制备厚度为0.5~5nm且起高功函作用的ReO₃层；待蒸镀过程结束后，制得SnO₂-Cu-ReO₃三文治结构的透明导电薄膜。

4.根据权利要求3所述的透明导电薄膜的制备方法，其特征在于，步骤S1中，对真空腔抽真空是采用机械泵和分子泵进行的，且真空腔的真空度抽至1.0×10^-3Pa~1.0×10^-6Pa。

5.根据权利要求4所述的透明导电薄膜的制备方法，其特征在于，步骤S1中，真空腔的真空度抽至2.0×10^-4Pa。

6.根据权利要求3所述的透明导电薄膜的制备方法，其特征在于，步骤S2中，在制备SnO₂层时，蒸发速率为10nm/min。

7.根据权利要求3所述的透明导电薄膜的制备方法，其特征在于，步骤S2中，在制备Cu层时，蒸发速率为3nm/min。

8.根据权利要求3所述的透明导电薄膜的制备方法，其特征在于，步骤S2中，在制备ReO₃层时，蒸发速率为0.3nm/min。

9.根据权利要求3至8任一所述的透明导电薄膜的制备方法，其特征在于，所述衬底为石英片，单晶硅片或蓝宝石。