[发明专利]一种新型的太阳能电池互联结构及其制造方法有效
申请号: | 201210268470.7 | 申请日: | 2012-07-31 |
公开(公告)号: | CN102769060A | 公开(公告)日: | 2012-11-07 |
发明(设计)人: | 张舒 | 申请(专利权)人: | 常州天合光能有限公司 |
主分类号: | H01L31/05 | 分类号: | H01L31/05;H01L31/18 |
代理公司: | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人: | 毛力 |
地址: | 213031 江苏*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 新型 太阳能电池 联结 及其 制造 方法 | ||
1.一种太阳能电池互联结构,包括:
相邻排列的多个电池片(2),其中每一个电池片的上方设置有导电耦合的上部电极(4)和下部电极(5);
带状复合体,分别被铺设在所述多个电池片的上部电极和下部电极的外表面上,所述带状复合体在与所述上部电极和所述下部电极相对应连接的位置上包括导电部分(7)和外部基体(6)。
2.如权利要求1所述的太阳能电池互联结构,其特征在于,所述带状复合体被分别铺设在上部电极(4)的上方的外表面上和下部电极(5)的下方的外表面上。
3.如权利要求2所述的太阳能电池互联结构,其特征在于,所述外部基体(6)由耐热、绝缘的材料所构成,并且其厚度为50um~150um。
4.如权利要求2所述的太阳能电池互联结构,其特征在于,所述导电部分(7)与所述电池片的上部电极(4)和下部电极(5)发生欧姆接触,并且所述导电部分(7)由平整部分和凸起结构所组成,所述平整部分对应连接于所述电池片的上部电极和下部电极,所述凸起结构对应嵌入于相邻电池片之间的间隙位置。
5.如权利要求4所述的太阳能电池互联结构,其特征在于,所述平整部分的厚度为150um~250um,所述凸起结构突出于所述平整部分的高度差为60um~120um,所述凸起结构填补了相邻的电池片的间隙之间的局部高度差。
6.如权利要求5所述的太阳能电池互联结构,其特征在于,所述导电部分中具有导电功能的基材为低电阻金属,所述导电部分的表层可以由含有表面低熔点合金涂层所构成。
7.如权利要求6所述的太阳能电池互联结构,其特征在于,所述导电部分的基材为Cu、Ag,所述导电部分的表层由Sn60Pb40所构成。
8.如权利要求5所述的太阳能电池互联结构,其特征在于,所述导电部分中具有导电功能的基材为低电阻金属,所述导电部分的表层可以由导电微粒、导电薄片的固体导电胶材料所构成。
9.如权利要求8所述的太阳能电池互联结构,其特征在于,所述导电部分的基材为Cu、Ag,所述导电部分的表层的导电薄片为Ag、Ni,所述导电部分的表层的导电微粒的粒度为300nm~2um,导电物质含量为30%~50%。
10.一种用于制造用于太阳能光伏组件互联结构的带状复合体的方法,包括:
形成导电片,以使其具有平整部分和凸起结构;
将所形成的导电片复合在带状复合体的外部基体(6)上;
将导电片中的无需与电池片(2)的上部电极(4)和下部电极(5)进行导电连接的部分去除,由此形成与外部基体(6)相耦合的导电部分(7)。
11.如权利要求10所述的方法,其特征在于,所述形成导电片包括:使用冲压方法形成具有平整部分和凸起结构的导电部分(7),使得所述平整部分对应连接于所述电池片的上部电极和下部电极,所述凸起结构对应嵌入于相邻电池片之间的间隙位置,所述平整部分的厚度为150um~250um,所述凸起结构突出于所述平整部分的高度差为60um~120um,所述凸起结构填补了相邻的电池片的间隙之间的局部高度差。
12.如权利要求10所述的方法,其特征在于,所述将导电片中的无需与电池片的上部电极和下部电极进行导电连接的部分去除包括:对复合而成的外部基体和导电片进行布图,随后使用诸如化学溶剂等材料将导电片中的无需与电池片的上部电极和下部电极进行导电连接的部分腐蚀掉,由此形成的导电部分(7)与电池片的上部电极和下部电极相对应。
13.一种用于制造太阳能电池互联结构的方法,包括:
对多个电池片(2)进行预热;
在多个电池片(2)的每一个电池片的上部电极(4)和下部电极(5)上分别铺设带状复合体;
使用热压过程,从上方和下方将所述带状复合体压入电池片,使得所述带状复合体的导电部分(7)和所述电池片(2)的上部电极和下部电极形成导电的欧姆接触,使得上方和下方的带状复合体中的导电部分7的凸起结构相接触以形成互联结构(9),由此形成由多个所述电池片构成的互联结构。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的