[发明专利]太阳能电池扩散退火工艺无效
申请号: | 201210268476.4 | 申请日: | 2012-07-31 |
公开(公告)号: | CN102810598A | 公开(公告)日: | 2012-12-05 |
发明(设计)人: | 陈剑锋;陆宁;陈文翔 | 申请(专利权)人: | 江苏顺风光电科技有限公司 |
主分类号: | H01L31/18 | 分类号: | H01L31/18 |
代理公司: | 常州市维益专利事务所 32211 | 代理人: | 路接洲 |
地址: | 213169 江苏*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 太阳能电池 扩散 退火 工艺 | ||
技术领域
本发明涉及一种太阳能电池工艺,尤其是一种太阳能电池扩散退火工艺。
背景技术
太阳能是人类取之不尽、用之不竭的可再生能源,也是清洁能源,使用太阳能可有效减轻环境污染。大阳能光电利用是近些年来发展最快、最具活力的研究领域之一。太阳能电池主要以半导体材料为基础制作,其工作原理是光电材料吸收光能后发生光电子转换反应而产生电流,目前广泛采用的是硅太阳能电池。硅太阳能电池又分为单晶硅太阳电池、非晶硅太阳电池和多晶硅太阳电池等。其中,单晶硅大阳能电池转换效率最高,技术也最为成熟。
现有技术中,单晶硅大阳能电池的制造主要包括如下步骤:去损伤层一制绒一扩散制结一等离子刻蚀去边一去磷硅玻璃一减反射膜一丝网印刷一烧结。其中,扩散制结(通常是磷扩散制结)是一个关键步骤,制结质量会影响最终的光电转换效率。传统磷扩散工艺只是简单的将硅片通磷源在N2和O2气氛下进行磷扩散处理后就推舟。这种传统工艺,温度高且使用的N2和O2流量高,易造成热缺陷,同时扩散后硅片表面磷浓度过高,“死层”较厚,大大降低了电池的短波效应,使电池转换效率不高。
发明内容
本发明要解决的技术问题是:提出一种太阳能电池扩散退火工艺。能够减少高温扩散带来的热缺陷,提高电池的转换效率。
本发明所采用的技术方案为:一种太阳能电池扩散退火工艺,包括以下步骤:
1)把制绒好的硅片放进扩散炉管中,将温度升到750-810℃,升温时间600-700s,同时通入氧气10000-15000sccm;
2)维持750-810℃温度不变,维持时间600-1200s,同时通入氮气5000-10000sccm;
3)前氧化,时间120-500s,通入的氧气量为200-600sccm,氮气量为5000-10000sccm;
4)衡温预淀积,温度在750-810℃,通入氮气5000-10000sccm,携源氮气800-1400sccm,氧气200-600sccm,时间720-1200s;
5)主扩散,变温推进,温度从750-810℃范围以一定升温速率上升到810-870℃范围,氮气5000-10000sccm,氧气2000-2900sccm,时间360-600s;
6)降温,通入的氮气量为15000-25000sccm,使得炉内温度以一定降温速率降到750-810℃范围,时间720-1200s;
7)退火,维持750-800℃范围600-1200s,氮气15000-25000sccm;
8)退舟,氮气10000-25000sccm,时间300-600s。
本发明所述的各个步骤中的气体含量仅仅为进行该步骤工艺时扩散炉内所存在的气体总量,而不是在上一步骤的基础上再通入的气体量。
本发明在常规的主扩散工艺步骤结束后并没有直接退舟将硅片取出,而是通过通入气体对炉内温度进行降温,并通过恒温进行退火,用以减少扩散本身带来的热损伤。
本发明的有益效果是:以衡温退火来修复晶格,减少高温扩散带来的热缺陷,降低漏电,提升Uoc、Isc,同时该退火工艺能起到二次推进的作用,更进一步降低“死层”、激活磷原子,提高载流子(电子-空穴对)密度,最终提升电池转换效率2%-3%以上。
具体实施方式
现在结合实施例对本发明作进一步详细的说明。
实施例1
1)把制绒好的硅片放进扩散炉管中,将温度升到750℃,升温时间600s,同时通入氧气10000sccm;
2)维持750℃温度不变,维持时间600s,同时通入氮气5000sccm;
3)前氧化,时间120s,通入的氧气量为200sccm,氮气量为5000sccm;
4)衡温预淀积,温度在750℃,通入氮气5000sccm,携源氮气800sccm,氧气200sccm,时间720s;
5)主扩散,变温推进,温度从750℃以一定升温速率上升到810℃范围,氮气5000sccm,氧气2000sccm,时间360s;
6)降温,通入的氮气量为15000sccm,使得炉内温度以一定降温速率降到750℃,时间720s;
7)退火,维持750℃,时间600s,氮气15000sccm;
8)退舟,氮气10000sccm,时间300s。
实施例2
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H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的