[发明专利]半导体元件及其制作方法

权利要求书

1.一种半导体元件，包括：

一栅极，配置于一基板上；

一通道层，配置于该基板上，且与该栅极重叠设置；

一栅绝缘层，位于该栅极与该通道层之间；

一源极以及一漏极，设置于该通道层二侧；以及

一硅铝氧化物层，配置于该基板上并覆盖该源极、该漏极以及该通道层。

2.如权利要求1所述的半导体元件，其特征在于，该硅铝氧化物层中硅含量与铝含量的比例由10：90至90：10。

3.如权利要求1所述的半导体元件，其特征在于，更包括一像素电极，位于该硅铝氧化物层上且电性连接于该漏极。

4.如权利要求1所述的半导体元件其特征在于，该栅绝缘层的材质包含硅铝氧化物，且该栅绝缘层中硅含量与铝含量的比例由10：90至90：10。

5.如权利要求1所述的半导体元件，其特征在于，该栅极位于该基板与该通道层之间。

6.如权利要求5所述的半导体元件，其特征在于，该源极与该漏极位于该通道层与该基板之间。

7.如权利要求5所述的半导体元件，其特征在于，该源极与该漏极位于该通道层与该硅铝氧化物层之间。

8.如权利要求7所述的半导体元件，其特征在于，更包括一蚀刻阻挡图案，覆盖部分该通道层且设置于该通道层以及该源极与该漏极之间。

9.如权利要求1所述的半导体元件，其特征在于，该通道层位于该基板与该栅极之间。

10.如权利要求9所述的半导体元件，其特征在于，该硅铝氧化物层位于该栅极与该通道层之间。

11.一种半导体元件的制作方法，包括：

形成一栅极于一基板上；

形成一通道层于该基板上，该通道层与该栅极重叠设置；

于该栅极与该通道层之间形成一栅绝缘层，

形成一源极以及一漏极，该源极与该漏极位于该通道层二侧；以及

形成一硅铝氧化物层于该基板上并覆盖该源极、该漏极以及该通道层。

12.如权利要求11所述的半导体元件的制作方法，其特征在于，该硅铝氧化物层中硅含量与铝含量的比例由10：90至90：10。

13.如权利要求11所述的半导体元件的制作方法，其特征在于，形成该硅铝氧化物层的方法包括物理气相沉积法。

14.如权利要求11所述的半导体元件的制作方法，其特征在于，该栅绝缘层的材质包含硅铝氧化物，且该栅绝缘层中硅含量与铝含量的比例由10：90至90：10。

15.如权利要求11所述的半导体元件的制作方法，其特征在于，更包括于该硅铝氧化物层中形成一接触窗以暴露出该漏极。

16.如权利要求15所述的半导体元件的制作方法，其特征在于，形成该接触窗的方法包括以氟系气体作为主蚀刻剂。

17.如权利要求16所述的半导体元件的制作方法，其特征在于，该氟系气体包括六氟化硫或四氟化碳。

18.如权利要求15所述的半导体元件的制作方法，其特征在于，更包括于该硅铝氧化物层上形成一像素电极，电性连接于该漏极。

19.如权利要求11所述的半导体元件的制作方法，其特征在于，更包括形成一蚀刻阻挡图案，覆盖部分该通道层且设置于该通道层以及该源极与该漏极之间。