[发明专利]耦合馈电的全向辐射振子阵列天线

权利要求书

1.一种耦合馈电的全向辐射振子阵列天线，其特征在于：所述天线包括介质板(1)和共面波导中心馈线(6)，其特征在于：所述天线还包括馈电端口匹配枝节(7)、辐射型终端负载(8)和两组振子，介质板(1)的前板面上印刷有共面波导中心馈线(6)、馈电端口匹配枝节(7)、辐射型终端负载(8)和两组振子，共面波导中心馈线(6)的下端与馈电端口匹配枝节(7)连接，共面波导中心馈线(6)的上端与辐射型终端负载(8)连接，每组振子包括第一振子(2)和第二振子(3)，第一振子(2)和第二振子(3)均为矩形，两组振子沿共面波导中心馈线(6)对称设置，第一振子(2)远离共面波导中心馈线(6)的一侧开有第一矩形口(2-1)，第二振子(3)远离共面波导中心馈线(6)的一侧开有第二矩形口(3-1)，介质板(1)的后板面上印刷有第一水平馈线(9)和第二水平馈线(10)，介质板(1)上位于每个第一振子(2)的上端面位置处开有一个第一金属化过孔(1-1)，介质板(1)上位于每个第一振子(2)的下端面位置处开有一个第二金属化过孔(1-2)，第一水平馈线(9)通过两个第一金属化过孔(1-1)与第一振子(2)连接，第二水平馈线(10)通过两个第二金属化过孔(1-2)与第一振子(2)连接。

2.根据权利要求1所述的耦合馈电的全向辐射振子阵列天线，其特征在于：所述介质板(1)为厚度为1.4mm～1.6mm，相对介电常数为4.4的环氧玻璃布层压板。

3.根据权利要求1或2所述的耦合馈电的全向辐射振子阵列天线，其特征在于：所述辐射型终端负载(8)为组合形，所述组合形由长方形和半圆形构成，长方形的短边与半圆形的直径共面，且长方形的短边与半圆形的直径相等。

4.根据权利要求1所述的耦合馈电的全向辐射振子阵列天线，其特征在于：所述辐射型终端负载(8)的宽度(W1)为11mm～13mm，辐射型终端负载(8)的长度(L1)为21mm～22mm，第一振子(2)远离共面波导中心馈线(6)的一侧至介质板(1)的边缘的距离(W2)为0.8mm～1.2mm，第二振子(3)远离共面波导中心馈线(6)的一侧至介质板(1)的边缘的距离(W12)为0.8mm～1.2mm，对称设置的两个第一振子(2)之间的距离(W3)为4.0mm～4.7mm，对称设置的两个第二振子(3)之间的距离(W13)与两个第一振子(2)之间的距离(W3)相等，馈电端口匹配枝节(7)的长度(W4)为2.8mm～3.2mm，馈电端口匹配枝节(7)的宽度(W14)为1.8mm～2.2mm，共面波导中心馈线(6)宽度(W5)为0.8mm～1.2mm，介质板(1)的宽度(W6)为12.5mm～13.0mm，介质板(1)的长度(L7)为103mm～105mm，介质板(1)的厚度为1.4mm～1.6mm，第一矩形口(2-1)的长度(L13)为2.3mm～2.7mm，第一矩形口(2-1)的宽度(W15)为1.3mm～1.7mm，第二矩形口(3-1)的长度(L8)与第一矩形口(2-1)的长度(L13)相等，第二矩形口(3-1)的宽度(W8)与第一矩形口(2-1)的宽度(W15)相等，第一振子(2)的宽度(W17)和第二振子(3)的宽度(W9)均为3mm～4mm，第一矩形口(2-1)的上表面至第一振子(2)的上端面的距离(L2)为21.4mm～21.7mm，第一矩形口(2-1)的下表面至第一振子(2)的下端面的距离(L4)与第一矩形口(2-1)的上表面至第一振子(2)的上端面的距离(L2)相等，第一振子(2)的下端面和第二振子(3)的上端面之间的距离(L5)为3.5mm～4.5mm，第二振子(3)的长度(L6)为24.8mm～25.3mm，第二矩形口(3-1)的下表面至第二振子(3)的下端面的距离(L9)为2mm～3mm，第一金属化过孔(1-1)的轴线至介质板(1)的上端面的距离(L10)为31mm～32mm，第一金属化过孔(1-1)的轴线至第二金属化过孔(1-2)的轴线的距离(L11)为40mm～43mm，第二金属化过孔(1-2)的轴线至介质板(1)的下端面的距离(L12)为29mm～31mm，第一金属化过孔(1-1)的长度(L13)和第二金属化过孔(1-2)的长度(L14)均与介质板(1)的厚度相等，第一金属化过孔(1-1)的直径(D4)和第二金属化过孔(1-2)的直径(D8)均为0.8mm～1.2mm，共面波导中心馈线(6)的厚度(D3)为0.01mm～0.1mm，第一水平馈线(9)的长度(W7)和第二水平馈线(10)的长度(W16)均为8.5mm～9.0mm，第一水平馈线(9)的厚度(D2)和第二水平馈线(10)的厚度(D7)均为0.01mm～0.1mm，第一水平馈线(9)的宽度(D6)和第二水平馈线(10)的宽度(D5)均为1.8mm～2.2mm。

5.根据权利要求1所述的耦合馈电的全向辐射振子阵列天线，其特征在于：所述辐射型终端负载(8)的宽度(W1)为11mm，辐射型终端负载(8)的长度(L1)为21.6mm，第一振子(2)远离共面波导中心馈线(6)的一侧至介质板(1)的边缘的距离(W2)为1mm，第二振子(3)远离共面波导中心馈线(6)的一侧至介质板(1)的边缘的距离(W12)为1mm，对称设置的两个第一振子(2)之间的距离(W3)为4.5mm，对称设置的两个第二振子(3)之间的距离(W13)为4.5mm，馈电端口匹配枝节(7)的长度(W4)为3mm，馈电端口匹配枝节(7)的宽度(W14)为2mm，共面波导中心馈线(6)宽度(W5)为1.2mm，介质板(1)的宽度(W6)为12.8mm，介质板(1)的长度(L7)为103.4mm，介质板(1)的厚度为1.5mm，第一矩形口(2-1)的长度(L13)为2.5mm，第一矩形口(2-1)的宽度(W15)为1.6mm，第二矩形口(3-1)的长度(L8)为2.5mm，第二矩形口(3-1)的宽度W8为1.6mm，第一振子(2)的宽度(W17)和第二振子(3)的宽度(W9)均为3.5mm，第一矩形口(2-1)的上表面至第一振子(2)的上端面的距离(L2)为21.6mm，第一矩形口(2-1)的下表面至第一振子(2)的下端面的距离(L4)为21.6mm，第一振子(2)的下端面和第二振子(3)的上端面之间的距离(L5)为4mm，第二振子(3)的长度(L6)为25.1mm，第二矩形口(3-1)的下表面至第二振子(3)的下端面的距离(L9)为3mm，第一金属化过孔(1-1)的轴线至介质板(1)的上端面的距离(L10)为31.6mm，第一金属化过孔(1-1)的轴线至第二金属化过孔(1-2)的轴线的距离(L11)为42.7mm，第二金属化过孔(1-2)的轴线至介质板(1)的下端面的距离(L12)为29.1mm，第一金属化过孔(1-1)的长度(L13)和第二金属化过孔(1-2)的长度(L14)均为1.5mm，第一金属化过孔(1-1)的直径(D4)和第二金属化过孔(1-2)的直径(D8)均为1mm，共面波导中心馈线(6)的厚度(D3)为0.1mm，第一水平馈线(9)的长度(W7)和第二水平馈线(10)的长度(W16)均为8.8mm，第一水平馈线(9)的厚度(D2)和第二水平馈线(10)的厚度(D7)均为0.1mm，第一水平馈线(9)的宽度(D6)和第二水平馈线(10)的宽度(D5)均为2mm。