[发明专利]一种以静电保护膜为媒介转移石墨烯薄膜的方法

权利要求书

1.一种以静电保护膜为媒介转移石墨烯薄膜的方法，其特征在于，所述方法是利用静电保护膜的静电吸附作用贴合包含生长衬底的石墨烯，然后将生长衬底去除，得到单层石墨烯/静电保护膜结合体，最后将单层石墨烯/静电保护膜结合体贴合于目标基底上，释放静电去除静电保护膜，得到单层石墨烯薄膜；

所述方法还可在得到单层石墨烯/静电保护膜结合体后，以单层石墨烯/静电保护膜结合体代替静电保护膜，在新的包含生长衬底的石墨烯上依次重复进行以下两步骤n-1次：贴合石墨烯/静电保护膜、去除衬底；从而制备得到n层石墨烯薄膜，所述n的取值为≥2的整数。

2.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述方法包括如下步骤：

（1）将静电保护膜贴合在包含生长衬底的石墨烯薄膜表面；

（2）去除步骤（1）所述的生长衬底，得到单层石墨烯/静电保护膜结合体；

（3）将石墨烯/静电保护膜结合体贴合在目标基底上，释放静电去除静电保护膜，得到石墨烯薄膜；

其中，步骤（3）所述石墨烯/静电保护膜为步骤（2）所述的单层石墨烯/静电保护膜；所述石墨烯薄膜为单层石墨烯薄膜。

3.如权利要求2所述的方法，其特征在于，所述方法在步骤（2）后任选进行步骤（2’）：

（2’）将步骤（2）得到的单层石墨烯/静电保护膜结合体代替步骤（1）所述的静电保护膜，重复步骤（1）~步骤（2）n-1次，制备得到n层石墨烯/静电保护膜结合体；所述n的取值为≥2的整数；

其中，当步骤（2）后进行步骤（2’）时，步骤（3）所述石墨烯/静电保护膜为步骤（2’）所述的多层石墨烯/静电保护膜；所述石墨烯薄膜为n层石墨烯薄膜。

4.如权利要求1~3之一所述的方法，其特征在于，所述静电保护膜选自PE静电保护膜、PET静电保护膜、PVC静电保护膜、PP静电保护膜中的任意一种，优选PET静电保护膜、PVC静电保护膜中的任意一种；

优选地，所述目标基底选自玻璃、PET、硅片、PI、PVC、PE、PP、PS、中的任意1种，优选PP、PE、硅片、玻璃中的任意一种。

5.如权利要求2~4之一所述的方法，其特征在于，步骤（2）所述去除生长衬底的方法是湿法刻蚀，所述刻蚀液选自氯化铁、硝酸铁、硝酸、过硫酸铵和过硫酸钾中的任意一种或至少两种的组合，优选过硫酸铵和/或过硫酸钾。

6.如权利要求2~5之一所述的方法，其特征在于，步骤（3）所述释放静电去除静电保护膜的方法为烘烤、低温冷却中的任意一种；

优选地，所述烘烤的温度为40~200℃，优选50~180℃，进一步优选70~150℃，特别优选100~120℃；

优选地，所述冷却的温度为-210~0℃，优选-200~-5℃，进一步优选-160~-20℃，特别优选-100~-50℃。

7.如权利要求2~6之一所述的方法，其特征在于，步骤（1）和步骤（3）所述的贴合方法为人工粘贴，机器覆膜粘贴中的任意1种，优选机器覆膜粘贴；

优选地，所述机器覆膜粘贴的覆膜速度为1~2000mm/min，优选10~1800mm/min，进一步优选20～1500mm/min，特别优选30~1400mm/min；

优选地，所述机器覆膜粘贴的覆膜温度为0~200℃，优选3~198℃，进一步优选20~80℃，特别优选40~70℃。

8.如权利要求1~7之一所述的方法，其特征在于，所述方法包括如下步骤：

（1）将静电保护膜贴合在包含生长衬底的石墨烯薄膜表面；

（2）去除步骤（1）所述的生长衬底，得到单层石墨烯/静电保护膜结合体；

（2’）将步骤（2）得到的单层石墨烯/静电保护膜结合体代替步骤（1）所述的静电保护膜，重复步骤（1）~步骤（2），制备得到双层石墨烯/静电保护膜结合体；

（3）将石墨烯/静电保护膜结合体贴合在目标基底上，释放静电去除静电保护膜，得到石墨烯薄膜；

其中，步骤（3）所述石墨烯/静电保护膜为步骤（2）所述的单层石墨烯/静电保护膜；所述石墨烯薄膜为双层石墨烯薄膜。

9.一种如权利要求1~8之一所述的石墨烯薄膜，其特征在于，所述石墨烯薄膜的层数≥1，优选≥2，进一步优选2~5。

10.一种如权利要求9所述的石墨烯薄膜的用途，其特征在于，所述石墨烯薄膜用于能量储存活性材料，优选用于储氢、锂离子电池、超级电容器或者燃料电池，以及纳电子器件、高频电路、光子传感器、基因电子测序和减少噪音。