[发明专利]正面栅线电极结构有效
申请号: | 201210269217.3 | 申请日: | 2012-07-31 |
公开(公告)号: | CN102779861A | 公开(公告)日: | 2012-11-14 |
发明(设计)人: | 刘伟;陈筑;詹国平;刘晓巍;蔡二辉;徐晓群 | 申请(专利权)人: | 宁波尤利卡太阳能科技发展有限公司 |
主分类号: | H01L31/0224 | 分类号: | H01L31/0224 |
代理公司: | 宁波市鄞州甬致专利代理事务所(普通合伙) 33228 | 代理人: | 代忠炯 |
地址: | 315177 浙江省宁*** | 国省代码: | 浙江;33 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 正面 电极 结构 | ||
技术领域
本发明涉及晶体硅太阳能电池技术领域,具体涉及一种使用二次套印工艺制作而成的晶体硅太阳能电池的正面栅线电极结构。
背景技术
在太阳能电池的正面栅线电极中,副栅线的作用是收集光生载流子,为了降低串联电阻,其高宽比越大越好,而主栅线的作用主要是为了组件焊接,不承担收集电流的功能,无需追求高宽比。但目前由于主栅线和副栅线是用同一块网版印刷的,追求副栅线高宽比的同时,主栅线的高度也会相应的增加,这就增加了银浆的使用量,增加了生产成本。
国家知识产权局网站公开了一种二次套印工艺的专利申请文件,通过增加一道印刷工序来将正面电极的主栅线和副栅线拆分印刷,但是该专利申请文件只是提供了一种工艺,简单地将主栅线和副栅线分开印刷,而没有对正面栅线电极结构进行重新设计,电池效率没有进一步的提高,而且浆料的使用量并没有获得预期的降低量,另外两次印刷存在一个对位的过程,主栅线容易印刷偏移,造成组件焊接困难。
发明内容
本发明要解决的技术问题是,提供一种在二次套印过程中能够快速准确的对位印刷、降低银浆使用量、提高电池转换效率的正面栅线电极结构。
本发明的技术方案是,提供这样一种正面栅线电极结构,它包括若干条第一副栅线、与第一副栅线相交且至少为二条的主栅线,所述的主栅线分为多段且段与段之间由连接线连接,所述的主栅线的首段和末段处还设有第三副栅线,所述的第三副栅线的内嵌段与相应的首段或末段叠交、外露段与第一副栅线相交。
所述的若干条第一副栅线等间距平行排列,所述的主栅线与第一副栅线垂直相交,所述的第三副栅线的外露段也与第一副栅线垂直相交。
所述的第三副栅线比第一副栅线宽。
所述的主栅线上的每一段均为矩形段,所述的连接线位于矩形段沿宽度方向的中间位置。
所述的第三副栅线的内嵌段叠交于矩形段沿宽度方向的中间位置。
所述的连接线比第一副栅线宽且比矩形段窄。
所述的主栅线的每一个矩形段的尺寸相同且矩形段之间的距离相等。
所述的若干条第一副栅线的两端分别连接有第二副栅线,所述的若干条第一副栅线上的首条和末条第一副栅线与所述的第二副栅线首尾依次连接。
采用上述结构后,本发明与现有技术相比,具有以下优点:
(1)与普通的连续式主栅线相比,本发明提供的主栅线是分段式结构,段与段之间以连接线相连,这样设计的好处是:一方面,主栅线的面积减少,意味着印刷的浆料减少,生产成本降低,另一方面,增大了受光面积,使产生的光生载流子增多,提高了电池的短路电流,从而提高电池光电转换效率。
(2)第三副栅线具有对位印刷的功能。因第三副栅线设有内嵌段和外露段,当二次套印印刷之后,查看第三副栅线的位置,便可判断主栅线是否存在左右偏移和旋转偏移,方便判断和调整主栅线的位置,另外第三副栅线的内嵌段保证了印刷存在轻微的上下偏移时仍能够保持第三副栅线与主栅线的充分接触,这样既能保证良好接触又利于组件的焊接。
作为改进,所述的若干条第一副栅线等间距平行排列,所述的主栅线与第一副栅线垂直相交,所述的第三副栅线的外露段也与第一副栅线垂直相交,使成型后的正面栅线电极结构整体布局规整,结构紧凑,且受光面积均匀,产生的光生载流子也分布均匀,进一步提高了电池光电转换效率。
作为进一步改进,所述的第三副栅线比第一副栅线宽,降低了电流传输过程中的电阻。
作为进一步改进,所述的主栅线上的每一段均为矩形段,所述的连接线位于矩形段沿宽度方向的中间位置,便于在后续焊接过程中连接线与组件的焊接,避免组件串联电阻的增大,造成功率的损失。
作为进一步改进,所述的第三副栅线的内嵌段叠交于矩形段沿宽度方向的中间位置,这样当二次套印印刷之后,查看第三副栅线是否垂直处在主栅线矩形段的中间位置,便可更方便的判断主栅线是否存在左右偏移和旋转偏移,更方便判断和调整主栅线的位置。
作为进一步改进,所述的连接线比第一副栅线宽且比矩形段窄,一方面进一步使主栅线的面积减少,意味着印刷的浆料也得到进一步减少,生产成本也进一 步降低,另一方面,进一步增大了受光面积,使产生的光生载流子进一步增多,进一步提高了电池的短路电流,从而进一步提高电池光电转换效率。
作为进一步改进,所述的主栅线的每一个矩形段的尺寸相同且矩形段之间的距离相等,使得主栅线银浆在烧结过程中应力释放均匀。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的