[发明专利]两种腐蚀深度的一次成形方法

权利要求书

1.两种腐蚀深度的一次成形方法，包括：

采用具有横向腐蚀特性的腐蚀材料从多于一个入口处对腐蚀对象进行腐蚀。

2.如权利要求1所述的两种腐蚀深度的一次成形方法，包括：

在开始腐蚀之前，根据希望获得的所述两种腐蚀深度及希望获得的腐蚀形貌，进行腐蚀材料、入口几何尺寸和腐蚀时间的选择。

3.如权利要求2所述的两种腐蚀深度的一次成形方法，其中所述入口几何尺寸包括入口的横截面的大小、各个入口之间的距离以及各个入口之间的相对位置。

4.如权利要求1－3中任意一项所述的两种腐蚀深度的一次成形方法，其中所述具有横向腐蚀特性的所述腐蚀材料是TMAH或KOH。

5.如权利要求1－3中任意一项所述的两种腐蚀深度的一次成形方法，其中，入口之间的间距W、第一腐蚀深度h1、第二腐蚀深度h2、纵向腐蚀速率Vy、以及横向腐蚀速率Vx之间满足如下关系：

W = （h1-h2）×（2×Vx）/Vy，其中h1>h2。

6.如权利要求5所述的两种腐蚀深度的一次成形方法，其中，腐蚀时间t、第一腐蚀深度h1以及纵向腐蚀速率Vy 之间满足如下关系：

t = h1/Vy。

7.一种半导体器件的蚀刻方法，包括：

在晶圆旋转过程中涂上光刻胶；

使用掩模对涂有所述光刻胶的晶圆进行曝光，并清除溶解掉的光刻胶；以及

使用具有横向腐蚀特性的腐蚀材料从多于一个入口处腐蚀暴露出来的晶圆部分，以一次成形两种腐蚀深度；

在开始腐蚀之前，根据希望获得的两种腐蚀深度，进行腐蚀材料、入口几何尺寸和腐蚀时间的选择。

8.如权利要求7所述的半导体器件的蚀刻方法，其中具有横向腐蚀特性的所述腐蚀材料是TMAH或KOH。

9.如权利要求7－8中任意一项所述的半导体器件的蚀刻方法，其中，入口之间的间距W、第一腐蚀深度h1、第二腐蚀深度h2、纵向腐蚀速率Vy、以及横向腐蚀速率Vx之间满足如下关系：

W = （h1-h2）×（2×Vx）/Vy，其中h1>h2。

10.如权利要求9所述的半导体器件的蚀刻方法，其中，腐蚀时间t、第一腐蚀深度h1以及纵向腐蚀速率Vy 之间满足如下关系：

t = h1/Vy。