[发明专利]溅射靶及其制法、利用该靶得到的薄膜、薄膜片及层叠片在审
| 申请号： | 201210270117.2 | 申请日： | 2012-07-31 |
| 公开（公告）号： | CN102965630A | 公开（公告）日： | 2013-03-13 |
| 发明（设计）人： | 樱井英章;有泉久美子 | 申请（专利权）人： | 三菱综合材料株式会社 |
| 主分类号： | C23C14/34 | 分类号： | C23C14/34;C23C14/08;C04B35/453;C04B35/14 |
| 代理公司： | 北京德琦知识产权代理有限公司 11018 | 代理人： | 康泉;王珍仙 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 溅射 及其 制法 利用 得到 薄膜 层叠 | ||
1.一种ZnO-SiO类溅射靶，其特征在于，
由将氧化锌ZnO和一氧化硅SiO作为主要成分的烧结体构成，所述烧结体的相对密度为95%以上，所述氧化锌ZnO与所述一氧化硅SiO的摩尔比为40：60～95：5。
2.一种ZnO-SiO类溅射靶的制造方法，其特征在于，
将一次粒子的平均粒径为0.1～5.0μm的ZnO粉末和SiO粉末混合成所述氧化锌ZnO与所述一氧化硅SiO的摩尔比为40：60～95：5，填加粘合剂并加压成型，脱模后以1000℃以上进行烧结，从而制造相对密度为95%以上的烧结体。
3.如权利要求2所述的ZnO-SiO类溅射靶的制造方法，其中，
作为以去除有机溶剂及水分等为目的的预干燥，以50～150℃进行1～10小时的处理，作为以使粘合剂消失为目的的脱脂处理，以400～600℃进行3～15小时的处理，而且作为提高密度的烧结工序，以1000～1500℃进行3～15小时的处理。
4.一种ZnO-SiO类膜的制造方法，其特征在于，
通过利用权利要求1所述的ZnO-SiO类溅射靶的溅射法在基板表面形成ZnO-SiO类膜。
5.一种ZnO-SiO类膜，其特征在于，
通过权利要求4所述的制造方法形成。
6.一种薄膜片，其特征在于，
在第1基材膜上具备权利要求5所述的ZnO-SiO类膜，
在温度20℃、相对湿度50%RH的条件下放置1小时时的水蒸气透过率为0.3g／m2·天以下。
7.一种层叠片，该层叠片通过粘结层在权利要求6所述的薄膜片的薄膜形成侧层叠第2基材膜而成。
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