[发明专利]半导体封装

权利要求书

1.一种半导体封装，其特征在于，包括：

基板；

第一导线，设置于所述基板上；

阻焊层，设置于所述基板上，且具有延伸部分，所述延伸部分覆盖所述第一导线的一部分，其中所述阻焊层的所述延伸部分的宽度大于所述第一导线的所述部分的宽度；以及

半导体芯片，设置于所述第一导线的上方。

2.如权利要求1所述的半导体封装，其特征在于，还包括：

第二导线，设置于所述基板上；以及

导电柱状物，设置于所述第二导线上，连接至所述半导体芯片的导电凸块。

3.如权利要求2所述的半导体封装，其特征在于，所述阻焊层远离所述第二导线与所述导电柱状物的重叠部分，且与所述重叠部分相距一段距离。

4.如权利要求1所述的半导体封装，其特征在于，还包括：

第二导线，设置于所述基板上；以及

焊锡凸块，设置于所述第二导线上，连接至所述半导体芯片的接合垫。

5.如权利要求1所述的半导体封装，其特征在于，还包括覆晶填充材料，填充所述基板和所述半导体芯片之间的间隙，且覆盖所述阻焊层。

6.如权利要求5所述的半导体封装，其特征在于，所述阻焊层的所述延伸部分的底面的一部分暴露于所述第一导线的所述部分之外。

7.如权利要求6所述的半导体封装，其特征在于，所述阻焊层的所述延伸部分的所述底面的所述部分被所述覆晶填充材料包裹。

8.如权利要求1所述的半导体封装，其特征在于，所述阻焊层的所述延伸部分与所述第一导线的所述部分两者共同具有T形剖面。

9.如权利要求1所述的半导体封装，其特征在于，所述阻焊层的所述延伸部分位于所述半导体芯片的下方，且位于所述半导体芯片的投影区域内。

10.如权利要求1所述的半导体封装，其特征在于，所述阻焊层的所述延伸部分具有垂直侧壁，所述垂直侧壁凸出于与其相邻的所述第一导线的所述部分的侧壁。

11.如权利要求1所述的半导体封装，其特征在于，所述阻焊层的所述延伸部分沿所述第一导线延伸，且延伸至所述半导体芯片的底面的下方。

12.一种半导体封装，其特征在于，包括：

基板；

第一导线，设置于所述基板上；

阻焊层，设置于所述基板上，且具有延伸部分，所述延伸部分覆盖所述第一导线的一部分，其中所述阻焊层的所述延伸部分具有垂直侧壁，所述垂直侧壁凸出于与其相邻的所述第一导线的所述部分的侧壁；以及

半导体芯片，设置于所述第一导线的上方。

13.如权利要求12所述的半导体封装，其特征在于，还包括：

第二导线，设置于所述基板上；以及

导电柱状物，设置于所述第二导线上，连接至所述半导体芯片的导电凸块。

14.如权利要求13所述的半导体封装，其特征在于，所述阻焊层远离于所述第二导线与所述导电柱状物的重叠部分，且与所述重叠部分相距一段距离。

15.如权利要求12所述的半导体封装，其特征在于，还包括：

第二导线，设置于所述基板上；以及

焊锡凸块，设置于所述第二导线上，连接至所述半导体芯片的接合垫。

16.如权利要求12所述的半导体封装，其特征在于，还包括覆晶填充材料，填充所述基板和所述半导体芯片之间的间隙，且覆盖所述阻焊层。

17.如权利要求16所述的半导体封装，其特征在于，所述阻焊层的所述延伸部分的底面的一部分暴露于所述第一导线的所述部分之外。

18.如权利要求17所述的半导体封装，其特征在于，所述阻焊层的所述延伸部分的所述底面的所述部分被所述覆晶填充材料包裹。

19.如权利要求12所述的半导体封装，其特征在于，所述阻焊层的所述延伸部分与所述第一导线的所述部分两者共同具有T形剖面。

20.如权利要求12所述的半导体封装，其特征在于，所述阻焊层的所述延伸部分位于所述半导体芯片的下方，且位于所述半导体芯片的投影区域内。