[发明专利]RF功率放大电路和使用该电路的RF功率模块

权利要求书

1.一种RF功率放大电路，其特征在于，

具备放大器和控制部，

所述放大器的输入端子能响应于RF发送输入信号，能由所述放大器的输出端子生成RF发送输出信号，

所述控制部包含第一控制部和第二控制部，

所述第一控制部能响应于供给到第一控制输入端子的输出功率控制电压，并由第一控制输出端子生成第一输出电流，

所述第二控制部能响应于供给到第二控制输入端子的所述第一控制部的所述第一输出电流，并由第二控制输出端子生成用于确定所述放大器的放大晶体管的无功电流的第二输出电流，

所述输出功率控制电压的最大值设定为规定的电压值，由此，由所述第一控制部的所述第一控制输出端子生成的所述第一输出电流的最大值设定为规定的电流值，

所述第二控制部包含响应于所述第一控制部的所述第一输出电流生成所述第二输出电流的多个MOS晶体管，

所述第二控制部的所述多个MOS晶体管响应于所述第一控制部的设定为所述规定的最大值的所述第一输出电流，在其亚阈值区工作。

2.如权利要求1所述的RF功率放大电路，其特征在于，    

所述放大器为多级放大器的后级放大器，

所述多级放大器包含向所述后级放大器供给RF放大信号的前级放大器，

响应于所述输出功率控制电压，所述前级放大器的无功电流按照第一连续函数连续变化，所述后级放大器的所述无功电流按照第二连续函数连续变化，

所述第二连续函数为比所述第一连续函数高一次以上的函数。

3.如权利要求2所述的RF功率放大电路，其特征在于，

所述后级放大器的所述放大晶体管的器件尺寸设定为比所述前级放大器的放大晶体管的器件尺寸大，

4.如权利要求3所述的RF功率放大电路，其特征在于，

所述第二控制部的所述多个MOS晶体管包含第一MOS晶体管、第二MOS晶体管、第三MOS晶体管、和第四MOS晶体管，

所述第一MOS晶体管的栅极和漏极连接，所述第二MOS晶体管的栅极和漏极连接，

所述第一控制部的所述第一输出电流能供给到所述第一MOS晶体管的漏极/源极电流路径和所述第二MOS晶体管的漏极/源极电流路径的串联连接处，

在所述第二MOS晶体管的栅极上连接有能使大致恒定的偏置电流流动的所述第三MOS晶体管的栅极，在所述第三MOS晶体管的栅极上连接有能使所述第二输出电流流动的所述第四MOS晶体管的栅极，

所述第二输出电流为与所述第一输出电流的平方成正比的电流。

5.如权利要求4所述的RF功率放大电路，其特征在于，

还具备第一偏压用晶体管和第二偏压用晶体管，

所述第一偏压用晶体管与所述前级放大器的所述放大晶体管连接成电流镜，所述第二偏压用晶体管与所述后级放大器的所述放大晶体管连接成电流镜，

用于使所述前级放大器的所述无功电流按照所述第一连续函数连续变化的第一偏置电流供给到所述第一偏压用晶体管，

用于使所述后级放大器的所述无功电流按照所述第二连续函数连续变化的第二偏置电流供给到所述第二偏压用晶体管。

6.如权利要求5所述的RF功率放大电路，其特征在于，

所述控制部由包含CMOS晶体管的单片集成电路构成。

7.如权利要求6所述的RF功率放大电路，其特征在于，

所述前级放大器的所述放大晶体管、所述后级放大器的所述放大晶体管、所述第一偏压用晶体管、和所述第二偏压用晶体管由MOS晶体管构成。

8.如权利要求6所述的RF功率放大电路，其特征在于，

所述前级放大器的所述放大晶体管、所述后级放大器的所述放大晶体管、所述第一偏压用晶体管、和所述第二偏压用晶体管由双极晶体管构成。

9.如权利要求7所述的RF功率放大电路，其特征在于，

所述MOS晶体管为LDMOS晶体管。

10.如权利要求8所述的RF功率放大电路，其特征在于，

所述双极晶体管为异质结双极晶体管。