[发明专利]对位结构

说明书

技术领域

本发明是有关一种对位结构，且特别有关一种具有栅状结构的对位结构。

背景技术

一般而言，在玻璃覆晶基板(Chip On Glass；COG)的制程中，芯片与玻璃基板各具有一对位记号，且二对位记号的形状大致相同。当芯片与玻璃基板结合时，需先藉由电子校准设备将芯片上的对位记号与玻璃基板上的对位记号对齐，之后才加以组装。也就是说，对位记号可确保芯片与玻璃基板的相对位置，使芯片能准确地设置于玻璃基板上。

习知芯片上的对位记号是以金属(例如铝)形成一特定形状于芯片基板的内金属介电层(Inter-Metal Dielectric；IMD)上。其中，对位记号的形状例如十字形或T字形。然而，在芯片的对位记号形成后，芯片的后续制程还包含镀上抗反射层(例如氮化钛；TiN)与保护层(例如氮化硅；SiN)，因此对位记号上也会同时被抗反射层覆盖。当电子校准设备辨识芯片的对位记号时，对位记号上的抗反射层会造成对位记号的反差比不明显，因此会降低电子校准设备判读对位记号的准确性。

此外，位于芯片的对位记号上的抗反射层虽可藉由图案化的光阻与蚀刻液移除，并使反差比变强，但增加一光罩来移除对位记号上的抗反射层不仅会增加制程的时间，还会增加材料的成本。

发明内容

本发明的一技术态样为一种对位结构位于一基板上。

根据本发明一实施方式，一种对位结构包含内金属介电层与栅状结构。内金属介电层位于基板上。栅状结构包含栅状金属层与栅状抗反射层。栅状金属层位于内金属介电层上。栅状抗反射层位于栅状金属层上，且栅状抗反射层与栅状金属层围绕的区域内形成有一对位部。

在本发明一实施方式中，其中上述栅状金属层包含多个第一条状结构位于内金属介电层上，且第一条状结构彼此平行，使第一条状结构之间形成有多个间隙。

在本发明一实施方式中，其中上述内金属介电层露出于间隙与对位部。

在本发明一实施方式中，其中上述栅状金属层更包含多个第二条状结构位于内金属介电层上。第二条状结构彼此平行且分别交错于第一条状结构，使第二条状结构与第一条状结构之间形成有多个孔洞。

在本发明一实施方式中，其中上述内金属介电层露出于孔洞与对位部。

在本发明一实施方式中，其中上述对位结构更包含保护层位于内金属介电层与栅状结构上。

本发明的一技术态样为一种对位结构位于一基板上。

根据本发明一实施方式，一种对位结构包含内金属介电层、多个金属层、多个抗反射层与保护层。内金属介电层位于基板上且具有对位部，其中对位部形成有多个填充槽且填充槽呈栅状排列。金属层分别位于填充槽中。抗反射层分别位于金属层上，使金属层与抗反射层形成一栅状结构。保护层位于内金属介电层与栅状结构上。

在本发明一实施方式中，其中上述每一抗反射层与每一金属层的高度之和大于每一填充槽的高度，使每一抗反射层凸出于内金属介电层。

本发明的一技术态样为一种对位结构的制作方法。

根据本发明一实施方式，一种对位结构的制作方法包含下列步骤：

（a）形成内金属介电层于基板上。

（b）形成金属层于内金属介电层上。

（c）形成抗反射层于金属层上。

（d）形成光阻层覆盖于抗反射层上。

（e）图案化光阻层，使光阻层为栅状且围绕的区域内具有一镂空部。

（f）使用蚀刻液去除未被光阻层覆盖的抗反射层与金属层，使金属层形成为一栅状金属层，且抗反射层形成为一栅状抗反射层，其中栅状金属层与栅状抗反射层围绕的区域内形成一对位部对应栅状光阻层的镂空部的位置。

（g）形成保护层于内金属介电层、栅状金属层与栅状抗反射层上。

本发明的一技术态样为一种对位结构的制作方法。

根据本发明一实施方式，一种对位结构的制作方法包含下列步骤：

（a）形成内金属介电层于基板上，其中内金属介电层具有一对位部。

（b）形成光阻层覆盖于对位部上。

（c）图案化光阻层，使光阻层为栅状。

（d）使用蚀刻液去除未被光阻层覆盖的对位部，使对位部形成有多个填充槽，且填充槽呈栅状排列。

（e）形成多个金属层于填充槽中。

（f）形成多个抗反射层于金属层上，使金属层与抗反射层形成一栅状结构。

（g）形成保护层于内金属介电层与抗反射层上。