[发明专利]高温蚀刻工艺槽有效
申请号: | 201210270325.2 | 申请日: | 2012-07-31 |
公开(公告)号: | CN102842526A | 公开(公告)日: | 2012-12-26 |
发明(设计)人: | 耿彪 | 申请(专利权)人: | 耿彪 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67;H01L21/306 |
代理公司: | 北京神州华茂知识产权代理有限公司 11358 | 代理人: | 吴照幸 |
地址: | 101125 北京市通*** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 高温 蚀刻 工艺 | ||
技术领域
本发明涉及一种半导体LED芯片制作装置。具体涉及一种高温蚀刻工艺槽,该工艺槽主要用于半导体LED芯片行业中图形化蓝宝石衬底与外延片之间的工艺段,通过高温蚀刻工艺在蓝宝石衬底上生长垂直化结构,是提高LED芯片亮度提升的必要工艺设备。
背景技术
本发明做出以前,由于所述工艺槽用于高温药液蚀刻,在工艺温度下会产生大量腐蚀性挥发气体,工艺槽内的溶液为强腐蚀性液体,不仅会增加废气处理难度及成本,还会导致工艺温度失衡、药液损耗严重等相关的由于挥发而导致的不利于生产的现象发生。
发明内容
本发明的目的是提供一种高温蚀刻工艺槽,其耐高温,防腐蚀,抑制腐蚀气体挥发,减少工艺槽内药液损耗,能控制药液升温时间及药液温度的均匀性,能降温排放药液。
为了达到上述目的,本发明有如下技术方案:
本发明的一种高温蚀刻工艺槽,包括槽盖、防腐外壳、保温隔热层、加热装置、抑制气体挥发装置、降温装置、工艺槽本体、连接供液装置,所述槽盖位于工艺槽本体顶部,保温隔热层位于防腐外壳内,工艺槽本体位于保温隔热层与工艺槽之间,加热装置设置在工艺槽本体底部,抑制气体挥发装置固定在工艺槽本体的上部,降温装置固定在工艺槽本体内壁,连接供液装置从工艺槽本体顶部插入到工艺槽本体内。
其中,所述槽盖包括两块盖板、开启关闭动力机构、密封减震碰撞条,开启关闭动力机构分别与两块盖板连接,密封减震碰撞条位于两块盖板关闭时的中间缝隙处,所述开启关闭动力机构用于自动开启或关闭槽盖。
其中,所述防腐外壳是采用聚丙烯板材焊接加工而成的防腐外壳。
其中,所述保温隔热层采用耐火材料。
其中,所述加热装置为并排设置的若干个加热灯管。
其中,所述抑制气体挥发装置为若干个冷凝回流盘管。
其中,所述降温装置包括降温盘管、制冷装置、冷却液体,降温盘管与制冷装置连接,冷却液体是在降温盘管与制冷装置之中循环的冷却液体。
其中,所述工艺槽本体采用石英材料,在工艺槽本体底部设有横截面为V形的排放口。
其中,所述连接供液装置为若干个供液补液管道。
由于采取了以上技术方案,本发明的优点在于:
本发明耐高温,防腐蚀,抑制腐蚀气体挥发,减少工艺槽内药液损耗,能控制药液升温时间及药液温度的均匀性,能降温排放药液;本发明能通过连接供液装置接通自动供液补液系统,实现工艺槽内的药液的自动补液供液。
附图说明
图1为本发明整体结构的示意图;
图2为图1的AA向的剖视图的示意图;
图3为本发明槽盖的俯视图的放大示意图。
图中:1、槽盖;2、防腐外壳;3、保温隔热层;4、加热装置、5、抑制气体挥发装置;6、降温装置;7、工艺槽本体;8、连接供液装置。
具体实施方式
以下实施例用于说明本发明,但不用来限制本发明的范围。
参见图1-图3,本发明的一种高温蚀刻工艺槽,由槽盖、防腐外壳、保温隔热层、加热装置、抑制气体挥发装置、降温装置、工艺槽本体、连接供液装置组成,所述槽盖位于工艺槽本体顶部,保温隔热层位于防腐外壳内,工艺槽本体位于保温隔热层与工艺槽之间,加热装置设置在工艺槽本体底部,抑制气体挥发装置固定在工艺槽本体的上部,降温装置固定在工艺槽本体内壁,连接供液装置从工艺槽本体顶部插入到工艺槽本体内。
所述槽盖:
由于所述工艺槽用于高温药液蚀刻,在工艺温度下会产生大量腐蚀性挥发气体,不仅会增加废气处理难度及成本,还会导致工艺温度失衡、药液损耗严重等相关的由于挥发而导致的不利于生产的现象发生,所以该工艺槽设置有自动槽盖执行开启与关闭动作。
因考虑到挥发气体的腐蚀性及耐温性和在一定温度下的热变形性以及对材料本身的洁净度要求等,故所述槽盖选用石英板材作为盖板。
因考虑到石英板材的易碎性,故采用左右两块盖板模式完成槽盖的开启与关闭,减少盖板与实现盖板开启关闭动力机构连接处的扭力,防止石英盖板碎裂。
因考虑到石英板材的易碎性及槽盖在关闭后的必须相对密封性和在一定温度下的热变形性以及对材料本身的洁净度要求等,故在两块对开槽盖板关闭时的中间缝隙处使用由聚四氟乙烯材料制作的密封减震碰撞条加以过渡,保证槽盖关闭时的安全性。
所述防腐外壳:
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
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H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造