[发明专利]半导体芯片和用于制造半导体芯片的方法

权利要求书

1.一种半导体芯片（1），其具有半导体本体（2），该半导体本体包括带有设计用于产生辐射的有源区（25）的半导体层序列，其中

-在半导体本体（2）上设置有反射结构（3），该反射结构具有反射层（4）以及至少局部地设置在反射层（4）和半导体本体（2）之间的介电层结构（5）；

-介电层结构（5）具有多个介电层（51，52），借助介电层形成介电反射结构；

-介电层结构（5）具有凹处（55）；以及

-在半导体本体（2）上设置有接触结构（6），该接触结构设置在介电层结构（5）的至少一个凹处（55）中。

2.根据权利要求1所述的半导体芯片，其中半导体本体（2）具有侧面（26），该侧面在横向方向上形成半导体本体（2）的边界，并且其中介电层结构（5）在横向方向上至少局部地伸出形成半导体本体（2）的边界的侧面（26）。

3.根据权利要求1所述的半导体芯片，其中介电层结构（5）借助凹处（55）划分为至少两个独立的部分区域（5A，5B）。

4.根据权利要求2所述的半导体芯片，其中介电层结构（5）借助凹处（55）划分为至少两个独立的部分区域（5A，5B）。

5.根据权利要求1所述的半导体芯片，其中接触结构（6）多层地构建。

6.根据权利要求2至4中的任一项所述的半导体芯片，其中接触结构（6）多层地构建。

7.根据权利要求1至5中的任一项所述的半导体芯片，其中接触结构（6）具有包含TCO材料的层（62）。

8.根据权利要求7所述的半导体芯片，其中接触结构（6）具有反射器层（61），该反射器层含有金属或者金属合金并且比反射层（4）更接近半导体本体（2）地设置，其中接触结构（6）的含有TCO材料的层（62）设置在半导体本体（2）和反射器层（61）之间。

9.根据权利要求1至5中的任一项所述的半导体芯片，其中另外的接触结构（65）在有源区（25）的背离接触结构（6）的侧上设置在半导体本体（2）的表面（27）上，其中该表面（27）在与所述另外的接触结构（65）横向邻接的区域（271）中是平坦的，并且在与该表面（27）的平坦区域邻接的另外的区域（272）中具有结构化部（28）。

10.根据权利要求1至5中的任一项所述的半导体芯片，其中半导体芯片具有支承体（7），其中介电层结构（5）设置在半导体本体（2）和支承体（7）之间。

11.根据权利要求1所述的半导体芯片，其中半导体芯片（1）具有支承体（7），在该支承体上设置有半导体本体（2），并且其中介电层结构（5）：

－设置在支承体（7）和半导体本体（2）之间，

－在横向方向上至少局部地伸出半导体本体（2）的、在横向方向上形成半导体本体（2）的边界的侧面（26），以及

－具有凹处（55），其中介电层结构（5）借助该凹处（55）划分为至少两个独立的部分区域（5A，5B）。

12.根据权利要求1所述的半导体芯片，其中介电层结构（5）借助凹处（55）划分为内部的部分区域（5A）和外部的部分区域（5B），其中：

－在有源区（25）的背离接触结构（6）的侧上在半导体本体上设置另外的接触结构（65），以及

－在半导体芯片的俯视图中内部的部分区域（5A）与所述另外的接触结构（65）交迭。

13.根据上述权利要求中的任一项所述的半导体芯片，其实施为LED芯片、RCLED芯片或者激光半导体芯片。