[发明专利]半导体封装件及其制法有效

专利信息
申请号: 201210270391.X 申请日: 2012-07-31
公开(公告)号: CN103579134A 公开(公告)日: 2014-02-12
发明(设计)人: 张江城;李孟宗;黄荣邦;邱世冠;黄富堂 申请(专利权)人: 矽品精密工业股份有限公司
主分类号: H01L23/31 分类号: H01L23/31;H01L23/29;H01L21/56
代理公司: 北京戈程知识产权代理有限公司 11314 代理人: 程伟;王锦阳
地址: 中国台*** 国省代码: 中国台湾;71
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要:
搜索关键词: 半导体 封装 及其 制法
【权利要求书】:

1.一种半导体封装件,其包括:

封装胶体,其具有相对的顶面和底面;

嵌设于该封装胶体中的至少一半导体组件,其具有相对的第一表面与第二表面,且该第一表面外露出该封装胶体底面;

聚合物层,其形成于该半导体组件与封装胶体之间,并延伸至该封装胶体底面上;以及

线路增层结构,其形成于该半导体组件的第一表面上。

2.根据权利要求1所述的半导体封装件,其特征在于,该半导体组件的第一表面上具有多个电极垫,且该线路增层结构具有至少一介电层、形成于该介电层上的增层线路、及形成于该介电层中的导电盲孔以电性连接该增层线路和电极垫。

3.根据权利要求1所述的半导体封装件,其特征在于,该线路增层结构还具有外露的电性连接垫,且该半导体封装件还包括导电组件,其形成于该电性连接垫上。

4.根据权利要求1所述的半导体封装件,其特征在于,该半导体封装件还包括多个贯穿该封装胶体和聚合物层的穿孔,且该穿孔形成于该半导体组件旁;形成于该穿孔中的导电柱;形成于该封装胶体的顶面上且电性连接该导电柱的导电迹线;以及形成于该封装胶体的顶面及导电迹线上的绝缘层。

5.根据权利要求4所述的半导体封装件,其特征在于,该半导体组件的第一表面上具有多个电极垫,且该线路增层结构具有至少一介电层、形成于该介电层上的增层线路、及形成于该介电层中的多个导电盲孔以电性连接该增层线路、电极垫和导电柱。

6.根据权利要求1所述的半导体封装件,其特征在于,该半导体组件的第一表面与该聚合物层形成一段差结构。

7.一种半导体封装件的制法,其包括:

提供一表面上设有至少一半导体组件的承载件,其中,该半导体组件借由粘着层贴附于该承载件上,以使该承载件的部份表面显露于外;

形成封装胶体,以包覆该半导体组件,其中,该封装胶体具有相对的顶面和与该粘着层同侧的底面;

移除该粘着层和承载件,以外露出该半导体组件;以及

于该外露的半导体组件上形成线路增层结构。

8.根据权利要求7所述的半导体封装件的制法,其特征在于,该制法还包括于形成该封装胶体之前,于该显露的承载件表面及半导体组件表面上形成聚合物层。

9.根据权利要求7所述的半导体封装件的制法,其特征在于,该半导体组件的设置包括下列步骤:

于承载件的整表面上形成粘着层;

于该粘着层上设置至少一半导体组件,并外露出部分该粘着层;以及

移除外露的该粘着层。

10.根据权利要求9所述的半导体封装件的制法,其特征在于,该半导体组件的设置还包括下列步骤:

于设置该至少一半导体组件之前,以屏蔽遮盖住部分该粘着层,以外露出该半导体组件的设置位置;以及

对该半导体组件的设置位置照光。

11.根据权利要求7所述的半导体封装件的制法,其特征在于,该半导体组件具有相对的第一表面与第二表面,该第一表面上具有多个电极垫,且该第一表面外露出该封装胶体底面。

12.根据权利要求8所述的半导体封装件的制法,其特征在于,该半导体组件具有相对的第一表面与第二表面,该第一表面上具有多个电极垫,且该第一表面外露出该聚合物层。

13.根据权利要求11或12所述的半导体封装件的制法,其特征在于,该线路增层结构形成于该半导体组件的第一表面上,且该线路增层结构具有至少一介电层、形成于该介电层上的增层线路、及形成于该介电层中的导电盲孔以电性连接该增层线路和电极垫。

14.根据权利要求7所述的半导体封装件的制法,其特征在于,该线路增层结构还具有外露的电性连接垫,且该制法还包括于该电性连接垫上形成导电组件。

15.根据权利要求7所述的半导体封装件的制法,其特征在于,该制法还包括于移除该粘着层和承载件之前,形成多个贯穿该封装胶体的穿孔于该半导体组件旁;于该穿孔中形成导电柱;于该封装胶体的顶面上形成电性连接该导电柱的导电迹线;以及于该封装胶体的顶面及导电迹线上形成绝缘层。

下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于矽品精密工业股份有限公司,未经矽品精密工业股份有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201210270391.X/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top