[发明专利]镭射隐形切割晶粒的方法

说明书

  

技术领域

本发明涉及一种半导体晶片的加工方法，具体涉及一种镭射隐形切割晶粒的方法。 

背景技术

    现有镭射隐形切割完成后，切割痕距晶粒正面或背面约为等距，切割痕距元件主要作用区域过近(若器件为LD或 LED，即为MQW区)，易诱发元件损伤产生漏电等问题。 

另外，现有镭射隐形切割完成后，若切割痕距背面距离较大，在后续制程过程中，易由隐形切割处崩裂；若切割痕距背面距离较小，在后续制程过程中不易分离，因此造成后续制程困难。 

发明内容

    为了解决上述技术问题，本发明提供了一种镭射隐形切割晶粒的方法，本发明能够减小元件损伤，在后续制程中避免出现晶粒崩裂，并且分离容易。 

本发明通过以下技术方案实现： 

一种镭射隐形切割晶粒的方法，在镭射隐形切割过程，切割面上有一次或多次改变切痕深度，使切割痕呈现深浅交错状。

优选的，所述改变切痕深度通过以下步骤完成：一次镭射动作配合镭射焦聚改变或平台高度改变完成。 

优选的，所述改变切痕深度通过以下步骤完成：于一条割道上来回切割二次或二次以上，每次以脉冲方式切出不同深度。 

本发明提供的方法使部份切割痕距元件主要作用区距离变大，因而减少对元件主要作用区的影响，减小了元件损伤；在后续制程中避免出现晶粒崩裂，并且分离容易，提高了后续制程的优良率。 

附图说明

    图1是利用本发明后的晶粒侧视图。 

具体实施方式

下面结合具体实施例对本发明进行详细说明。以下实施例将有助于本领域的技术人员进一步理解本发明，但不以任何形式限制本发明。应当指出的是，对本领域的普通技术人员来说，在不脱离本发明构思的前提下，还可以做出若干变形和改进。这些都属于本发明的保护范围。 

实施例1

一种镭射隐形切割晶粒的方法，在镭射隐形切割过程，切割面上有一次或多次改变切痕深度，使切割痕呈现深浅交错状，如图1所示；

所述改变切痕深度通过以下步骤完成：一次镭射动作配合雷射焦聚改变完成。

实施例2

一种镭射隐形切割晶粒的方法，在镭射隐形切割过程，切割面上有一次或多次改变切痕深度，使切割痕呈现深浅交错状，如图1所示；

所述改变切痕深度通过以下步骤完成：一次镭射动作配合平台高度改变完成。

实施例3

一种镭射隐形切割晶粒的方法，在镭射隐形切割过程，切割面上有一次或多次改变切痕深度，使切割痕呈现深浅交错状，如图1所示；

所述改变切痕深度通过以下步骤完成：于一条割道上来回切割二次或二次以上，每次以脉冲方式切出不同深度。