[发明专利]一种石墨烯薄膜转移方法无效

专利信息
申请号: 201210271016.7 申请日: 2012-08-01
公开(公告)号: CN102807208A 公开(公告)日: 2012-12-05
发明(设计)人: 许子寒 申请(专利权)人: 许子寒
主分类号: C01B31/04 分类号: C01B31/04
代理公司: 暂无信息 代理人: 暂无信息
地址: 518054 广东省深圳*** 国省代码: 广东;44
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摘要:
搜索关键词: 一种 石墨 薄膜 转移 方法
【权利要求书】:

1.一种石墨烯薄膜转移方法,其特征在于:将石墨烯薄膜直接粘附于聚合物衬底上,使石墨烯薄膜和聚合物衬底形成共价结合,并将石墨烯薄膜接触生长基底的一面暴露出来,作为制作功能器件的有效面。

2.根据权利1所述的石墨烯薄膜转移方法,其特征在于:具体实施步骤包括:

(1)将聚合物处理为流体状态并涂覆于石墨烯薄膜上并将聚合物固化,

(2)将基底腐蚀掉或者通过机械外力将石墨烯薄膜和基底分离,将石墨烯薄膜靠近生长基底的一面暴露出来。

3.根据权利1所述的石墨烯转移方法,其特征在于:所使用的聚合物可以是以下聚合物的一种、两种或者多种混合物:聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)、聚二甲基硅氧烷(PDMS)、聚丙烯(PP)、环氧树脂类聚乙烯(PE)、聚苯乙烯(PS)、ABS塑料 、聚氯乙烯(PVC)、聚甲醛(POM)、聚碳酸酯(PC)、酚醛塑料、聚氨酯塑料、环氧树脂、不饱和聚酯塑料、呋喃塑料、有机硅树脂、丙烯基树脂等及其改性树脂等聚合物。

4.根据权利1所述的石墨烯转移方法,其特征在于:所使用的石墨烯薄膜为生长于金属基底或非金属基底上的层数小于10层的连续或者非连续石墨烯薄膜。

5.根据权利1所述的一种石墨烯转移方法,其特征在于:使石墨烯和生长基底分离的方法为化学腐蚀法或者机械外力剥离法。

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