[发明专利]电子传输层、含该电子传输层的有机电致发光器件及制备

权利要求书

1.一种电子传输层，其特征在于，含有式1有机电子传输材料和式2有机电子传输材料，其中式1有机电子传输材料为具有式1结构的化合物中的一种或其两种以上任意组合，式2有机电子传输材料为具有式2结构的化合物中的一种或其两种以上任意组合，

式1

式1中，Ar选自碳原子数为6至30的亚稠环芳烃，或选自碳原子数为6至30的亚稠杂环芳烃；R₁是苯基，联苯基，萘基，1至5个碳的烷基或者氢；n选自2至3的整数；

式2

式2中，Ar选自碳原子数为6至30的亚稠环芳烃，或选自碳原子数为6至30的亚稠杂环芳烃；n选自1至3的整数；

其中，式1有机电子传输材料与式2有机电子传输材料的重量比为：90:10~10:90。

2.根据权利要求1所述的电子传输层，其特征在于，式1中，Ar是亚萘基、联亚萘基、亚蒽基、苯并亚蒽基、亚苝基、亚芘基、亚喹啉基、联亚喹啉基或亚基。

3.根据权利要求1所述的电子传输层，其特征在于，式2中，Ar是亚萘基、联亚萘基、亚蒽基、苯并亚蒽基、亚苝基、亚芘基、亚苯基吡啶基、联亚苯基吡啶基、或二苯并

4.根据权利要求1所述的电子传输层，其特征在于，具有式1结构的化合物为如下化合物：

5.根据权利要求1所述的电子传输层，其特征在于，具有式2结构的化合物为以下化合物：

6.根据权利要求1所述的电子传输层，其特征在于，所述电子传输层为共混层，含有式1有机电子传输材料和式2有机电子传输材料。

7.根据权利要求6所述的电子传输层，其特征在于，式1有机电子传输材料和式2有机电子传输材料的重量比为30:70～70:30。

8.根据权利要求6所述的电子传输层，其特征在于，所述电子传输层的厚度为10～50nm。

9.根据权利要求6所述的电子传输层，其特征在于，所述电子传输层掺有重量为所述电子传输层重量10～90%的n型掺杂剂。

10.根据权利要求1所述的电子传输层，其特征在于，所述电子传输层为双层结构，由含有式1有机电子传输材料的第一电子传输层和含有式2有机电子传输材料的第二电子传输层构成。

11.根据权利要求10所述的电子传输层，其特征在于，所述第一电子传输层与所述第二电子传输层的厚度比为30:70～70:30。

12.根据权利要求10所述的电子传输层，其特征在于，所述电子传输层的厚度为10～50nm。

13.根据权利要求10所述的电子传输层，其特征在于，所述第一电子传输层和/或第二电子传输层中还含有n型掺杂剂，所述n型掺杂剂为所述电子传输层重量的10～90%。

14.根据权利要求10所述的电子传输层，其特征在于，所述第一电子传输层镀覆在发光层上，所述第二电子传输层镀覆于所述第一电子传输层上；或者所述第二电子传输层镀覆在发光层上，所述第一电子传输层镀覆于所述第二电子传输层上。

15.具有权利要求1~14任一项所述的电子传输层的有机电致发光器件，其特征在于，含有基板，以及在基板上依次镀覆的阳极、空穴注入层、空穴传输层、发光层、所述电子传输层、电子注入层和阴极。

16.权利要求15所述的有机电致发光器件的制造方法，其特征在于，含有如下步骤：

1）对基板进行清洗，烘干，并在所述基板上蒸镀或溅射一层阳极层；

2）步骤1）得到的带有阳极层的基板置于真空腔内，抽真空，在所述阳极层上蒸镀空穴注入层；

3）继续在所述空穴注入层上蒸镀空穴传输层；

4）继续在所述空穴传输层上进行所述发光层的蒸镀掺杂；

5）在所述发光层上，继续蒸镀所述电子传输层；

6）继续在所述电子传输层之上蒸镀电子注入层；

7）最后，在电子注入层之上进行阴极层的蒸镀。