[发明专利]一种柔性OLED及其制备方法有效
申请号: | 201210271246.3 | 申请日: | 2012-07-30 |
公开(公告)号: | CN102760846A | 公开(公告)日: | 2012-10-31 |
发明(设计)人: | 何剑;苏君海;张色冯;柯贤军;张雪峰;王勃;何基强 | 申请(专利权)人: | 信利半导体有限公司 |
主分类号: | H01L51/56 | 分类号: | H01L51/56;H01L51/52;H01L51/50 |
代理公司: | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人: | 曹志霞 |
地址: | 516603 广东省*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 柔性 oled 及其 制备 方法 | ||
1.一种柔性OLED制备方法,其特征在于,包括如下步骤:
1)将PET薄片作为基板通过粘结剂固定在一支撑板上,而后对基板表面进行清洗并烘干,再在基板上形成一阻挡层,所述阻挡层由聚合物薄膜层与高光透过率的无机材料薄膜层依次交替沉积而成,所述聚合物薄膜层及无机材料薄膜层的折射率与基板相当;
2)在设置了阻挡层的基板上制作ITO和金属层并完成金属线路和ITO线路刻蚀、PI图案制作、RIB图案制作,在金属线路和ITO线路刻蚀时,对刻蚀液进行机械搅拌或超声搅拌;
3)而后送入蒸镀腔中蒸镀有机功能层和阴极;
4)在阴极表面采用真空蒸镀的方式蒸镀薄膜封装层,薄膜封装层由至少一层有机材料层及至少一层无机材料层交替沉积而成;
5)将基板与支撑板剥离。
2.根据权利要求1所述的柔性OLED制备方法,其特征在于,所述聚合物薄膜层采用聚乙烯酸酯或聚丙烯酸酯或聚对二甲苯制成。
3.根据权利要求1所述的柔性OLED制备方法,其特征在于,所述高光透过率的无机材料薄膜层为Al2O3或SiO2或MgO或MgF2制成。
4.根据权利要求1所述的柔性OLED制备方法,其特征在于,所述阻挡层远离基板的最上一层为聚合物薄膜层。
5.根据权利要求1所述的柔性OLED制备方法,其特征在于,所述封装层中远离基板的最上一层为无机材料层。
6.根据权利要求1所述的柔性OLED制备方法,其特征在于,所述有机材料层由NPB或m-MTDATA或TPD或Alq3或BCP制成,所述无机材料层由Al2O3、SiO2或MgO或MgF2制成。
7.根据权利要求1所述的柔性OLED制备方法,其特征在于,所述粘结剂为环氧树脂或有机硅树脂。
8.根据权利要求1所述的柔性OLED制备方法,其特征在于,所述粘结剂为环氧树脂,步骤1)中,在用环氧树脂将基板与支撑板固定前,先将环氧树脂在低强度的UV光照射下进行交联固化;步骤5)中的剥离为:采用高强度的UV光从支撑板一侧照射,再进行低温加热或水浴加热。
9.根据权利要求1所述的柔性OLED制备方法,其特征在于,所述粘结剂为有机硅树脂,步骤1)中,有机硅树脂中含有吸湿成分,在基板与支撑板固定后,粘结剂处于粘稠态,但具有一定的粘接强度,使得PET基板与支撑板之间不会发生相对位移;步骤5)中的剥离为:在不超过60℃的温水中浸泡10-60min,然后采用机械方式分离。
10.一种柔性OLED,其特征在于,由权利要求1~9所述的制备方法制得。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件;专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的;具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射;专门适用于将这些辐射能转换为电能,或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的,如有机发光二极管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料选择