[发明专利]用于清洁反应室的设备

说明书

技术领域

本发明主要涉及用于清洁反应室的设备，并且更特别地，涉及一种用于清洁反应室的这样的一种设备，该设备可有效地去除已附着于反应室的外来物质，并且该设备可防止反应室在清洁该反应室的过程期间受到污染。

背景技术

通常，半导体制造设备执行一系列过程，这些过程包括：在半导体基片上形成膜的沉积过程；使膜平坦化的化学-机械研磨过程；在膜上形成光刻胶图案的光刻过程；利用光刻胶图案将膜成形到具有电气特性的图案中的蚀刻过程；将特定的离子注入到半导体基片的预定区域中的离子注入过程；以及将杂质从半导体基片中去除的清洁过程。

在半导体制造过程中，执行膜沉积过程的方法被分为物理气相沉积（PVD）方法和化学气相沉积（CVD）方法，在该膜沉积过程中，将所需的材料沉积到基片上。CVD方法包括将工艺气体供给到反应室中并利用热或等离子体使工艺气体进行化学反应，由此使膜沉积到基片上。有机金属化学气相沉积（MOCVD）方法是一种将有机金属化合物用作前体（precursor）的方法，并且该方法包括：利用载气将有机金属化合物供给到反应室中，以及使有机金属化合物膜在热基片的表面上生长。

当在反应室中对半导体基片进行处理时，一些物质会附着于反应室的内表面。例如，在薄膜由于工艺气体在反应室中的反应而形成在基片上的沉积过程中，这种薄膜除了沉积在基片上之外还会沉积在反应室的内表面上。已经沉积在反应室的内表面上的物质在反复的过程期间会以颗粒的形状掉落到基座或基片上，由此造成缺陷。为了避免该问题，必须定期地清洁反应室。

作为清洁反应室的常规方法的一个示例，已经提议了一种方法，在该方法中，将清洁气体供给到反应室中以将附着物质从反应室的内表面上去除。然而，如果甚至在利用清洁气体等之后还未将附着物质从反应室上去除，则需要进行物理清洁过程。

发明内容

因此，考虑到现有技术中存在的上述问题已经作出了本发明，并且本发明的目的在于提供一种用于清洁反应室的设备，该设备物理地去除已附着于反应室的内表面的物质，并且防止在清洁过程期间产生的颗粒掉落到基座上。

为了实现上述目的，本发明提供了一种用于清洁反应室的设备，该设备包括：清洁单元，该清洁单元包括刷，该刷插入到反应室中以执行清洁反应室的内部的过程；以及遮挡单元，该遮挡单元用于阻挡在利用刷来清洁反应室的内部的过程期间掉落下的物质。

该设备可进一步包括：清洁机器人，该清洁机器人包括连接至清洁单元的清洁机械臂组件，该清洁机器人调节清洁单元的位置；以及遮挡机器人，该遮挡机器人包括连接至遮挡单元的遮挡机械臂组件，该遮挡机器人调节遮挡单元的位置。

清洁单元可包括使刷旋转的马达。该马达可以为电动马达或者，作为选择，可以为通过气动压力运行的空气马达。

可在至少一个方向上调节刷的角度。

遮挡单元可在反应室的基座的上方展开。

在一实施方式中，遮挡单元可包括多个遮挡件，其中，遮挡件可彼此连接并且以彼此连接的状态展开。

在另一实施方式中，遮挡单元可包括遮蔽件，该遮蔽件以滑动的方式展开。

附图说明

根据结合附图进行的下列详细描述，将更为清楚地理解本发明的上述和其它目的、特征和优点，在附图中：

图1为根据本发明的优选实施方式的用于清洁反应室的设备的示意图；

图2为示出了根据本发明的优选实施方式的腔室清洁设备的清洁单元的第一示例的视图；

图3为示出了根据本发明的优选实施方式的腔室清洁设备的清洁单元的第二示例的视图；

图4为示出了根据本发明的优选实施方式的腔室清洁设备的遮挡单元的折叠状态的视图；

图5为示出了根据本发明的优选实施方式的腔室清洁设备的遮挡单元的展开状态的视图；

图6为根据本发明的优选实施方式的腔室清洁设备的遮挡单元的截面图；

图7为示出了根据本发明的优选实施方式的腔室清洁设备的遮挡件的视图；

图8为沿图7的线A-A’获得的截面图；以及

图9和图10为示出了根据本发明的优选实施方式的腔室清洁设备的遮挡单元的另一示例的构造的视图。

具体实施方式