[发明专利]低温烧结硅酸锆研磨球及制备方法有效

专利信息
申请号: 201210271942.4 申请日: 2012-08-02
公开(公告)号: CN102795848A 公开(公告)日: 2012-11-28
发明(设计)人: 王俊甫;李强;王柏昆;周雄;宋书明;廖建中 申请(专利权)人: 江苏锡阳研磨科技有限公司
主分类号: C04B35/16 分类号: C04B35/16;C04B35/622;C09K3/14
代理公司: 宜兴市天宇知识产权事务所(普通合伙) 32208 代理人: 李妙英
地址: 214221 江*** 国省代码: 江苏;32
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摘要:
搜索关键词: 低温 烧结 硅酸 研磨 制备 方法
【权利要求书】:

1.低温烧结硅酸锆研磨球,其特征在于原料以硅酸锆为基质材料,以氧化铝、氧化硅、氧化锆、氧化钇、碳酸钙、碳酸镁、碳酸钾、碳酸钠的组合为烧结助剂,各组份的质量百分比为:硅酸锆60%-85%;氧化铝0%-30%;氧化硅2%-30%;氧化锆0%-20%;氧化钇0.5%-3%;碳酸钙0.5%-5%;碳酸镁0%-5%;碳酸钾0.5%-5%;碳酸钠0.5%-5%。

2.低温烧结硅酸锆研磨球的制备方法,其特征在于步骤为:

(1)按权利要求1所述的配比将原料混合,加入水、研磨介质后球磨;

(2)球磨后获得混合均匀的浆料,然后经立式砂磨机高速研磨得到符合要求的浆料,经干燥得到硅酸锆研磨球成型所需的原料粉;

(3)以步骤(2)中制备的原料粉为原料,通过滚球机成型得到所需直径的素坯球; 

(4)将素坯球烧结。

3.根据权利要求2所述的制备方法,其特征在于步骤(1)中原料混合物:水:研磨介质的质量比为1:1.5:3。

4.根据权利要求2所述的制备方法,其特征在于素坯球的烧结工艺为:10℃/min升温到1000℃,然后2℃/min升温到烧结温度1300-1400℃,保温3-5小时,然后自然冷却到室温。

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