[发明专利]溅镀机及其磁铁的控制方法有效

专利信息
申请号: 201210272078.X 申请日: 2012-08-01
公开(公告)号: CN102817001A 公开(公告)日: 2012-12-12
发明(设计)人: 黄宇庆 申请(专利权)人: 友达光电股份有限公司
主分类号: C23C14/34 分类号: C23C14/34;C23C14/54
代理公司: 北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006 代理人: 梁挥;鲍俊萍
地址: 中国台湾新竹科*** 国省代码: 中国台湾;71
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摘要:
搜索关键词: 溅镀机 及其 磁铁 控制 方法
【权利要求书】:

1.一种溅镀机,其特征在于,包括:

一腔室,具有一腔室开口;

一靶材载板,位于该腔室内;

一屏蔽,覆盖该腔室开口,该屏蔽具有一屏蔽开口,该屏蔽开口小于该腔室开口,并且该屏蔽开口曝露该靶材载板;

一磁铁,位于该腔室内,并且该靶材载板介于该屏蔽与该磁铁之间;

一驱动机构,连接于该磁铁,用以驱动该磁铁于该靶材载板上移动;以及

一程序化控制器,连接于该驱动机构,用以经由该驱动机构驱动该磁铁沿一第一路径以及一第二路径移动,该第一路径具有两第一端点,该第二路径具有两第二端点,该第一路径与该第二路径均跨越该屏蔽开口,该第二路径的该两第二端点介于该第一路径的该两第一端点之间,并且该磁铁于该两第一端点所占据的空间不重迭于该磁铁于该两第二端点所占据的空间。

2.根据权利要求1所述的溅镀机,其特征在于,该屏蔽开口包括彼此相对的两侧缘,该第二路径由一该侧缘朝向另一该侧缘延伸,该屏蔽开口自该屏蔽的一内壁面贯穿该屏蔽,

该磁铁位于一该第二端点时,该磁铁于该内壁面的一正交投影覆盖一该侧缘,

该磁铁位于另一该第二端点时,该磁铁于该内壁面的另一正交投影覆盖另一该侧缘。

3.根据权利要求1所述的溅镀机,其特征在于,该驱动机构包括:

一滑轨,该磁铁以可滑动的方式配置于该滑轨上,该滑轨定义出该第一路径以及该第二路径,其中该第二路径重迭于该第一路径;

一传动件,连接于该磁铁;以及

一致动器,连接于该传动件以及该程序化控制器,用以受该程序化控制器的控制而经由该传动件驱动该磁铁沿着该滑轨滑动。

4.根据权利要求1所述的溅镀机,其特征在于,更包括一直流电源,该直流电源包括一正极以及一负极,该屏蔽连接于该正极,该靶材载板连接于该负极。

5.根据权利要求1所述的溅镀机,其特征在于,更包括一接地的环型挡墙,该屏蔽包括一板体以及一环型墙体,该屏蔽开口贯穿该板体,该环型墙体位于该板体上并且环绕该屏蔽开口,该环型挡墙围绕该环型墙体。

6.根据权利要求1所述的溅镀机,其特征在于,该磁铁于平行于该第一路径的方向上的宽度小于两个相邻的该第一端点与该第二端点的距离。

7.根据权利要求1所述的溅镀机,其特征在于,该磁铁于平行于该第一路径的方向上的宽度小于两个相邻的该第一端点与该第二端点的距离的一半。

8.一种磁铁的控制方法,用以在一溅镀过程中控制一靶材的消耗,其特征在于,其步骤包括:

将该靶材配置于一磁铁与一屏蔽之间,该屏蔽与一直流电源的一正极连接,并且该屏蔽包括一屏蔽开口;

使该磁铁于一第一路径的两第一端点之间往返,以使部分的该靶材自该靶材表面脱离,而形成对应于该两第一端点的两第一凹陷,其中该第一路径跨越该屏蔽开口;以及

当任一该两第一凹陷的深度大于一临界值时,使该磁铁于一第二路径的两第二端点之间往返并且该第二路径不经过该两第一端点,以使部分的该靶材自该靶材表面脱离,而形成对应于该两第二端点的两第二凹陷,其中该第二路径跨越该屏蔽开口,

该两第二端点介于该两第一端点之间,以使该两第一凹陷与该两第二凹陷彼此间隔一大于零的距离。

9.根据权利要求8所述的磁铁的控制方法,其特征在于,该屏蔽开口包括彼此相对的两侧缘,该第二路径由一该侧缘朝向另一该侧缘延伸,该屏蔽开口自该屏蔽的一内壁面贯穿该屏蔽,

该磁铁位于一该第二端点时,该磁铁于该内壁面的一正交投影覆盖一该侧缘,

该磁铁位于另一该第二端点时,该磁铁于该内壁面的另一正交投影覆盖另一该侧缘。

10.根据权利要求8所述的磁铁的控制方法,其特征在于,该第一路径具有至少一对中继点,该对中继点的位置对称于该第一路径的一中点,该磁铁经过该对中继点的速度不相同。

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