[发明专利]导电玻璃、其制备方法和应用有效
| 申请号： | 201210272588.7 | 申请日： | 2012-07-31 |
| 公开（公告）号： | CN103570254A | 公开（公告）日： | 2014-02-12 |
| 发明（设计）人： | 董清世;吴振辉;陈曦;李晓东;吴坚;李磊;王润 | 申请（专利权）人： | 信义光伏产业（安徽）控股有限公司 |
| 主分类号： | C03C17/34 | 分类号： | C03C17/34;B32B17/06 |
| 代理公司： | 深圳中一专利商标事务所 44237 | 代理人： | 张全文 |
| 地址： | 241000 安徽省芜湖市*** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 导电 玻璃 制备 方法 应用 | ||
【权利要求书】：
1.一种导电玻璃，包括依次层叠的玻璃基底层、钠离子阻挡层和导电膜层，其特征在于，还包括增透层，所述增透层层叠于所述导电膜层之上。
2.如权利要求1所述的导电玻璃，其特征在于，所述增透层为二氧化硅薄膜或氟化镁薄膜。
3.如权利要求1所述的导电玻璃，其特征在于，所述增透层的厚度为30～90纳米，可见光折射率为1.35～1.5。
4.如权利要求1所述的导电玻璃，其特征在于，所述钠离子阻挡层为SiNxOy化合物膜层，其中0.7<x<1.2，0.25＜y<1。
5.如权利要求1所述的导电玻璃，其特征在于，所述钠离子阻挡层的厚度为50～90纳米，可见光折射率为1.6～1.8。
6.如权利要求1所述的导电玻璃，其特征在于，所述导电膜层的厚度为200～400纳米。
7.如权利要求1所述的导电玻璃，其特征在于，所述导电膜为氧化锌膜、ITO膜或FTO膜。
8.如权利要求1～7任一项所述的导电玻璃制备方法，包括如下步骤：
提供所述玻璃基底层；
通过磁控溅射在所述玻璃基底层上形成钠离子阻挡层；
通过磁控溅射在所述钠离子阻挡层上形成导电膜层；
通过磁控溅射在所述导电膜层上形成增透层，得到导电玻璃。
9.如权利要求1～7任一项所述的导电玻璃在太阳能电池、触摸屏、液晶显示器件或照明器件中的应用。
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