[发明专利]存储器装置及其制造方法

权利要求书

1.一种存储器装置的制造方法，包括：

提供一衬底；

于该衬底的一正面上形成多个存储单元，该多个存储单元包括多个相变材料，该多个相变材料位于一封装材料层中；以及

使应力诱发形成在该多个相变材料中，使该多个相变材料成为受应力的相变材料。

2.根据权利要求1所述的方法，更包括：在形成该多个存储单元之前，沉积一应力层在该衬底的一背面上，使该衬底产生一应力，以及在形成该多个存储单元之后或之前，移除该应力层。

3.根据权利要求2所述的方法，其中该应力层包括一钨层，且该多个受应力的相变材料不产生岩盐至六角最密堆积结晶形态的转变。

4.根据权利要求3所述的方法，其中该衬底包括一个半导体晶圆，且该钨层具有范围在145纳米与175纳米之间的厚度。

5.根据权利要求2所述的方法，其中沉积该应力层采用一用以诱发拉伸应力所选择的溅射压力。

6.根据权利要求2所述的方法，其中沉积该应力层采用一用以诱发压缩应力所选择的溅射压力。

7.根据权利要求1所述的方法，其中该多个存储单元包括一蕈状存储单元结构、一桥型存储单元结构、一通孔中主动型存储单元结构、以及一孔型存储单元结构。

8.根据权利要求1所述的方法，其中该多个相变材料包括多种锗锑碲合成(GST，Ge_xSb_xTe_x)材料。

9.根据权利要求1所述的方法，其中该多个受应力的相变材料厚度小于或等于10纳米，且具有诱发性的压缩应力。

10.根据权利要求1所述的方法，其中该多个受应力的相变材料厚度小于或等于2.5纳米，且具有诱发性的压缩应力或具有诱发性的拉伸应力。

11.一种存储器装置，包括：

一衬底；以及

一存储器阵列，位于该衬底上，该存储器阵列包括多个存储单元，该多个存储单元包括多个受应力的相变材料，该多个受应力的相变材料位于封装材料层中。

12.根据权利要求11所述的存储器装置，其中在450℃以下，该多个受应力的相变材料不产生岩盐至六角最密堆积结晶形态的转变。

13.根据权利要求11所述的存储器装置，其中该多个存储单元包括一蕈状(mushroom-type)存储单元结构、一桥型(bridge-type)存储单元结构、一通孔中主动型(active-in-via)存储单元结构、以及一孔型(pore-type)存储单元结构的至少其中之一。

14.根据权利要求11所述的存储器装置，其中该多个受应力的相变材料包括多种锗锑碲合成(GST，Ge_xSb_xTe_x)材料。

15.根据权利要求11所述的存储器装置，其中该多个受应力的相变材料厚度小于或等于10纳米，且具有诱发性的压缩应力。

16.根据权利要求11所述的存储器装置，其中该多个受应力的相变材料厚度小于或等于2.5纳米，且具有诱发性的压缩应力或具有诱发性的拉伸应力。