[发明专利]薄膜晶体管阵列面板及其制造方法

权利要求书

1.一种薄膜晶体管阵列面板，包括：

栅极布线层，设置在基板上；

氧化物半导体层，设置在所述栅极布线层上；以及

数据布线层，设置在所述氧化物半导体层上，

其中所述数据布线层包括主布线层和设置在所述主布线层上的盖层，以及其中所述主布线层包括铜并且所述盖层包括铜合金。

2.根据权利要求1所述的薄膜晶体管阵列面板，其中

所述铜合金包括钒（V）、钛（Ti）、锆（Zr）、钽（Ta）、锰（Mn）、镁（Mg）、铬（Cr）、钼（Mo）、钴（Co）、铌（Nb）和镍（Ni）中的至少一种，或者铜、铝和镁的合金。

3.根据权利要求2所述的薄膜晶体管阵列面板，其中

所述铜合金包括铜锰合金。

4.根据权利要求3所述的薄膜晶体管阵列面板，其中

所述氧化物半导体层包括锌（Zn）、铟（In）、锡（Sn）、镓（Ga）和铪（Hf）中的至少一种。

5.根据权利要求1所述的薄膜晶体管阵列面板，其中

所述数据布线层还包括设置在所述主布线层下的阻挡层。

6.根据权利要求5所述的薄膜晶体管阵列面板，其中

所述阻挡层包括由钒（V）、锆（Zr）、钽（Ta）、锰（Mn）、镁（Mg）、铬（Cr）、钼（Mo）、钴（Co）、铌（Nb）和镍（Ni）中的至少一种与铜的合金制成的材料。

7.根据权利要求6所述的薄膜晶体管阵列面板，其中

与所述阻挡层中的铜形成所述合金的材料具有大约10at%或更高的含量。

8.根据权利要求1所述的薄膜晶体管阵列面板，其中

所述数据布线层包括数据线、源电极、以及面对所述源电极的漏电极，所述数据线交叉所述栅极线。

9.根据权利要求8所述的薄膜晶体管阵列面板，还包括

钝化层，覆盖所述数据线和所述漏电极并且包括暴露所述漏电极的一部分的接触孔；以及

像素电极，通过所述接触孔与所述漏电极电连接。

10.根据权利要求9所述的薄膜晶体管阵列面板，其中

所述钝化层包括硅氧化物。

11.一种薄膜晶体管阵列面板的制造方法，该方法包括：

在基板上形成栅极线；

在所述栅极线上形成栅绝缘层；

在所述栅绝缘层上形成氧化物半导体层、第一金属层和第二金属层；

在所述第二金属层上形成第一光致抗蚀剂图案，该第一光致抗蚀剂图案包括第一区和厚度比所述第一区厚的第二区；

通过使用所述第一光致抗蚀剂图案作为掩模，一起蚀刻所述第二金属层和所述第一金属层；

通过使用所述第一光致抗蚀剂图案作为掩模，蚀刻所述氧化物半导体层；

通过回蚀所述第一光致抗蚀剂图案，形成第二光致抗蚀剂图案；以及

通过使用所述第二光致抗蚀剂图案作为掩模同时湿法蚀刻所述第一金属层和所述第二金属层，形成包括阻挡层和设置在所述阻挡层上的主布线层的数据布线层。

12.根据权利要求11所述的方法，其中

所述第一金属层包括铜合金以及所述第二金属层包括铜。

13.根据权利要求12所述的方法，其中

所述第一金属层由钒（V）、钛（Ti）、锆（Zr）、钽（Ta）、锰（Mn）、镁（Mg）、铬（Cr）、钼（Mo）、钴（Co）、铌（Nb）和镍（Ni）中的至少一种与铜的合金制成。

14.根据权利要求13所述的方法，其中

与所述第一金属层中的铜形成合金的材料具有大约25at%或更高的含量。

15.根据权利要求11所述的方法，还包括：

在所述栅绝缘层上形成所述第二金属层之后，形成第三金属层。

16.根据权利要求15所述的方法，其中

所述第三金属层包括铜合金。

17.根据权利要求16所述的方法，还包括：

当所述第一金属层和所述第二金属层通过使用所述第二光致抗蚀剂图案作为掩模被湿法蚀刻时，通过一起蚀刻所述第三金属层，在所述主布线层上形成盖层。