[发明专利]一种低成本大面积石墨烯透明导电膜制备方法

权利要求书

1.一种低成本大面积石墨烯透明导电膜制备方法，其特征在于，制备步骤如下：

（1）将氧化石墨烯碎片或者石墨烯碎片作为溶质分散于溶剂中，形成质量分数为0.01%~10% 的溶液；

（2）  将溶液液涂覆于衬底上并将溶剂挥发干，使石墨烯或者氧化石墨烯薄膜碎片均匀且连续地附着于衬底上成膜；

（3） 将步骤2所得到的薄膜置于已经将氧分子除净，并被惰性气体保护的腔体中，升温至500^oC~1500^oC，保持高温10分钟以上，使碎片内和碎片边缘的碳分子在高温下重新排布再结晶；

（4） 将步骤3中所得到的石墨烯薄膜快速降温至室温；

（5）将步骤4中所得到的石墨烯薄膜转移至透明衬底上，即得到转移好的大面积透明导电薄膜。

2.根据权利1所述的低成本大面积石墨烯透明导电膜制备方法，其特征在于：所用溶质为氧化石墨烯碎片、石墨烯碎片、剪开的碳纳米管或者以上物质的两种或多种混合物。

3.根据权利1所述的低成本大面积石墨烯透明导电膜制备方法，其特征在于用于分散溶质的溶剂可以是水、液态二氧化碳、液氨、液态二氧化硫、水合肼等无机溶剂，或者二甲基甲酰胺（DMF）、氯苯、二甲苯、甲苯、乙腈、乙醇、四氢呋喃、氯仿、乙酸乙酯、环己烷、丁酮、丙酮、石油醚、二甲基亚砜、六甲基磷酰胺、N-甲基吡咯烷酮、苯、环己酮、丁酮、环己酮、二氯苯、吡啶、乙酸、二氧六环、乙二醇单甲醚、1,2-二氯乙烷、乙醚、正辛烷等常用有机溶剂，或者上述溶剂的两种或者多种混合物。

4.根据权利1所述的低成本大面积石墨烯透明导电膜制备方法，其特征在于，将溶剂涂覆于衬底上的方式可以选择旋涂、辊涂、喷淋、涂布、溶液中提拉等方式。

5.根据权利1所述的低成本大面积石墨烯透明导电膜制备方法，其特征在于，所用的衬底可以选择金属箔，合金箔或者硅片、玻璃、石英、氧化铝等耐高温衬底。

6.根据权利1所述的低成本大面积石墨烯透明导电膜制备方法，其特征在于，所使用的加热方式可以是红外加热、电阻丝加热、激光加热、微波加热中的一种、两种或多种加热方式。

7.根据权利1所述的低成本大面积石墨烯透明导电膜制备方法，其特征在于：所用的高温再结晶装置可以是封闭式系统、真空系统或者开放式系统，但都需要将系统中的氧气排净，并且使用惰性气体将薄膜保护起来。

8.根据权利1所述的低成本大面积石墨烯透明导电膜制备方法，其特征在于：高温再结晶后，降温速度要求大于200^oC每分钟。