[发明专利]一种晶圆的裂片装置和方法有效

专利信息
申请号: 201210273144.5 申请日: 2012-08-02
公开(公告)号: CN102810469A 公开(公告)日: 2012-12-05
发明(设计)人: 宋超;刘榕;王江波 申请(专利权)人: 华灿光电股份有限公司
主分类号: H01L21/302 分类号: H01L21/302
代理公司: 北京三高永信知识产权代理有限责任公司 11138 代理人: 徐立
地址: 430223 湖北省*** 国省代码: 湖北;42
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摘要:
搜索关键词: 一种 裂片 装置 方法
【说明书】:

技术领域

发明涉及半导体发光器件领域,特别涉及一种晶圆的裂片装置和方法。

背景技术

晶圆是制作半导体发光器件所用的晶片。半导体发光器件的制造过程中,在完成晶圆生长后,需将晶圆分割成若干芯片,以进行后续的芯片封装工序。

一般地,分割晶圆的方法为,先对晶圆进行划片操作,再对完成划片的晶圆进行裂片操作。其中,现有的裂片操作通常采用裂片机完成。裂片机包括用于放置晶圆的受台、用于劈裂晶圆的劈刀、用于敲击劈刀的击锤和用于复位击锤的弹簧。具体地,采用裂片机对晶圆进行裂片时,先将击锤通电,击锤通电后将克服弹簧的回复力迅速向下运动敲打劈刀;劈刀在击锤敲打下对受台上放置的晶圆施加冲击,使晶圆裂开。

在实现本发明的过程中,发明人发现现有技术至少存在以下问题:

采用裂片机裂片时,需通过击锤反复敲打劈刀,使劈刀冲击晶圆进而使晶圆裂开,导致整个裂片工作用时长,裂片的效率低,较难进行大规模生产;同时,击锤击打的力度无法调整,使得劈刀对晶圆的冲击力无法调整,导致芯片无法裂开或者分割后的芯片发生崩裂损伤等情况,芯片的良品率低。

发明内容

为了解决现有技术的问题,本发明实施例提供了一种晶圆的裂片装置和方法。所述技术方案如下:

一方面,提供了一种晶圆的裂片装置,所述装置包括用于产生超声波的超声波换能器、用于将所述超声波传递至划片后的晶圆的传递介质、以及用于支撑所述划片后的晶圆的支撑件;所述超声波换能器和所述支撑件相对设置。

其中,所述超声波换能器为压电换能器。

其中,所述传递介质为空气、纯净水、酒精、丙酮或玻璃。

其中,所述装置还包括用于产生光以照射所述划片后的晶圆的光发射部件;所述光发射部件设置在所述支撑件的上方或下方。

其中,所述装置还包括用于在所述光照射下检查所述划片后的晶圆是否裂开的检测部件,所述检测部件与所述光发射部件对应设置。

具体地,所述检测部件为图像传感器。

其中,所述装置还包括用于反射所述超声波,以使反射回的超声波与所述超声波换能器产生的超声波在所述传递介质中形成驻波的超声波共振腔;所述超声波共振腔与所述超声波换能器相对设置;所述支撑件位于所述超声波换能器和所述超声波共振腔之间;所述超声波共振腔与所述支撑件之间设有所述传递介质。

其中,所述传递介质为用于分割所述划片后的晶圆的劈刀;所述装置还包括用于调节所述超声波的幅度的变幅杆和用于调节所述劈刀位置的调节组件;所述超声波换能器与所述变幅杆的一端相连;所述变幅杆的另一端设在所述劈刀上;所述劈刀与所述调节组件相连且设置在所述支撑件的正上方。

另一方面,提供了一种晶圆的裂片方法,所述方法包括:

将划片后的晶圆与超声波的传递介质接触;

在所述传递介质中向所述划片后的晶圆传播超声波,使所述划片后的晶圆在所述超声波作用下裂片。

其中,所述在所述传递介质中向所述划片后的晶圆传播超声波,包括:

将所述超声波的波长设成与所述划片后的晶圆中芯片的长边尺寸相等后,在所述传递介质中向所述划片后的晶圆产生超声波;

将所述超声波的波长设成与所述芯片的宽边尺寸相等后,再在所述传递介质中向所述划片后的晶圆产生超声波。

本发明实施例提供的技术方案带来的有益效果是:超声波通过传递介质传递至划片后的晶圆;划片后的晶圆在超声波的冲击下发生振动;振动作用使得划片后的晶圆沿着经划片后产生的划痕发生分裂,得到芯片;由于可以调整超声波换能器产生的超声波的功率,能够得到完成裂片的超声波的准确功率,使得裂片的效率高,能够进行大规模生产;同时,由于得到了裂片的超声波的准确功率,能够提高芯片的良品率。

附图说明

为了更清楚地说明本发明实施例中的技术方案,下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍,显而易见地,下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例,对于本领域普通技术人员来讲,在不付出创造性劳动的前提下,还可以根据这些附图获得其他的附图。

图1是本发明实施例一提供的一种晶圆的裂片装置结构示意图;

图2是本发明实施例二提供的一种晶圆的裂片装置结构示意图。

具体实施方式

为使本发明的目的、技术方案和优点更加清楚,下面将结合附图对本发明实施方式作进一步地详细描述。

实施例一

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