[发明专利]纳米超声发生装置及其制作方法和离子导入装置

权利要求书

1.一种纳米超声发生装置，其特征在于，包括：

第一导电层；

第二导电层；

第一高分子绝缘层，其位于所述第二导电层的第一侧表面上；以及

压电纳米线阵列，其位于第一导电层的第一侧表面和第一高分子绝缘层的第二侧表面之间，且垂直生长在所述第一导电层的第一侧表面上；

所述第一导电层与所述第二导电层连接外加交流电压，使压电纳米线阵列振动而能够产生超声波。

2.根据权利要求1所述的纳米超声发生装置，其特征在于，还包括：

多个支撑部，其设置在所述第一导电层的第一侧表面上且彼此之间具有一定的间隔，所述支撑部的高度高于压电纳米线阵列中纳米线的高度。

3.根据权利要求2所述的纳米超声发生装置，其特征在于，还包括：

第二高分子绝缘层，其填充在所述第一导电层的第一侧表面上生长的压电纳米线阵列中的压电纳米线之间，以稳固所述压电纳米线阵列中的纳米线。

4.根据权利要求1-3中任何一项所述的纳米超声发生装置，其特征在于，还包括：

基底；

其中，所述第一导电层的第二侧表面位于该基底上。

5.根据权利要求1-3中任何一项所述的纳米超声发生装置，其特征在于，

所述交流电压的功率为5-100W，频率为1KHz-10MKHz。

6.一种制作权利要求1所述的纳米超声发生装置的方法，其特征在于，包括如下步骤：

在第一导电层上镀压电材料种子层，由所述压电材料种子层生长压电纳米线，从而形成压电纳米线阵列；

在所述压电纳米线阵列上涂覆第一高分子绝缘层；

在所述第一高分子绝缘层上镀第二导电层，

所述第一导电层与所述第二导电层连接外部交流电源，使压电纳米线阵列振动而发出超声波。

7.一种制作权利要求1所述的纳米超声发生装置的方法，其特征在于，包括如下步骤：

在第一导电层上镀压电材料种子层，由所述压电材料种子层生长压电纳米线，从而形成压电纳米线阵列；

在第二导电层上镀第一高分子绝缘层；

将镀在第二导电层上的第一高分子绝缘层粘接在所述压电纳米线阵列上；

所述第一导电层与所述第二导电层连接外部交流电源，使压电纳米线阵列振动而发出超声波。

8.根据权利要求6或7所述的制作方法，其特征在于，

在第一导电层上镀压电材料种子层之前还包括步骤：在所述第一导电层上蚀刻出多个彼此之间具有一定间隔的支撑部，其中，所述支撑部的高度高于所述压电纳米线阵列中纳米线的高度；

相应地，所述“在所述第一导电层上镀压电材料种子层，由压电材料种子层生长压电纳米线，从而形成压电纳米线阵列”的步骤，以及所述“在所述压电纳米线阵列上覆盖第一高分子绝缘层”的步骤具体为：在所述第一导电层上没有设置支撑部的区域镀压电材料种子层，由所述压电材料种子层生长压电纳米线，从而形成压电纳米线阵列；所述第一高分子绝缘层覆盖于所述支撑部上。

9.根据权利要求6-8中任何一个所述的制作方法，其特征在于，

在涂覆第一高分子绝缘层之前，在所述压电纳米线阵列所位于的第一导电层侧上镀第二高分子绝缘层，使所述第二高分子绝缘层填充在所述压电纳米线阵列之间的间隙。

10.根据权利要求6-8中任何一个所述的制作方法，其特征在于，

在所述在第一导电层上镀压电材料种子层步骤之前还包括：

将第一导电层镀在基底上。

11.一种纳米超声发生装置，其特征在于，包括：

第一导电层；

第二导电层；

第一高分子绝缘层，其位于所述第二导电层的第一侧表面上；以及

压电纳米线阵列，其位于第一导电层的第一侧表面和第一高分子绝缘层的第二侧表面之间，且垂直生长在所述第一高分子绝缘层的第二侧表面上；

所述第一导电层与所述第二导电层连接外加交流电压，使压电纳米线阵列振动而能够产生超声波。

12.根据权利要求11所述的纳米超声发生装置，其特征在于，还包括：

多个支撑部，其设置在所述第一高分子绝缘层的第二侧表面上且彼此之间具有一定的间隔，所述支撑部的高度高于压电纳米线阵列中纳米线的高度。