[发明专利]层叠型半导体存储器件

权利要求书

1.一种层叠型存储器件，包括：

半导体衬底；

多个位线，所述多个位线被布置并层叠在所述半导体衬底上；

多个字线，所述多个字线形成在所述多个位线上；

多个互连单元，所述多个互连单元中的每个从相应的字线向所述多个位线中的相应的一个延伸；以及

多个存储器单元，所述多个存储器单元分别连接在所述多个位线与从所述多个字线延伸的互连单元之间。

2.如权利要求1所述的层叠型存储器件，其中，所述多个存储器单元中的每个包括：

开关晶体管，所述开关晶体管与对应的位线以及与对应的字线的互连单元连接；以及

可变电阻器，所述可变电阻器与所述开关晶体管连接。

3.如权利要求2所述的层叠型存储器件，其中，所述多个存储器单元的可变电阻器共同地连接到公共源极线。

4.一种层叠型存储器件，包括：

半导体衬底；

多个有源区，所述多个有源区中的每个包括层叠在所述半导体衬底上并彼此绝缘的多个有源层；

多个栅电极，所述多个栅电极形成在所述多个有源区的每个中，并且所述多个栅电极包围所述多个有源层的最上层有源层的上部以及所述多个有源层的侧部；

多个源极，所述多个源极中的每个在所述栅电极的第一侧形成在所述多个有源层的每个中；

多个漏极，所述多个漏极中的每个在所述栅电极的第二侧形成在所述多个有源层的每个中；

多个位线，所述多个位线中的每个与设置在同一层中的漏极共同地连接；

多个阻变器件层，所述多个阻变器件层中的每个与所述多个源极的相应的一个连接；以及

公共源极线，所述公共源极线与所述阻变器件层共同地连接。

5.如权利要求4所述的层叠型存储器件，其中，所述多个有源区被平行地布置在所述半导体衬底上并彼此分开。

6.如权利要求5所述的层叠型存储器件，其中，所述位线层叠并沿第一方向延伸，使得所述位线与所述有源层一一对应。

7.如权利要求6所述的层叠型存储器件，其中，所述位线形成在所述漏极的第一侧。

8.如权利要求4所述的层叠型存储器件，还包括多个字线，所述多个字线形成在所述栅电极上以与所述栅电极电连接。

9.如权利要求8所述的层叠型存储器件，其中，所述多个字线沿与所述位线相交叉的第二方向延伸。

10.如权利要求4所述的层叠型存储器件，其中，所述源极和所述漏极包括高浓度n型杂质区域。

11.如权利要求4所述的层叠型存储器件，其中，所述源极和所述漏极包括硅化物层。

12.如权利要求4所述的层叠型存储器件，其中，所述阻变器件层包括选自镨钙锰氧化物层、硫族化合物层、磁性层、磁化开关器件层、以及聚合物层中的任何一种。

13.如权利要求12所述的层叠型存储器件，其中，所述阻变器件层形成在每个源极的第一侧。

14.一种层叠型存储器件，包括：

半导体衬底；

多个有源区，所述多个有源区中的每个包括层叠在所述半导体衬底上并彼此绝缘的多个有源层；

多个栅电极，所述多个栅电极形成在所述多个有源区的每个中，并且所述多个栅电极包围所述多个有源层的最上层有源层的上部以及所述多个有源层的侧部；

多个源极，所述多个源极中的每个在所述栅电极的第一侧形成在所述多个有源层的每个中；

多个漏极，所述多个漏极中的每个在所述栅电极的第二侧形成在所述多个有源层的每个中；

多个阻变器件层，所述多个阻变器件层中的每个被布置在所述多个漏极中的相应一个的第一侧；

多个位线，所述多个位线中的每个与布置在同一层中的阻变器件层共同地连接；

公共源极线，所述公共源极线与所述多个源极共同地连接；以及

字线，所述字线中的每个与所述多个栅电极中的相应的一个电连接。

15.如权利要求14所述的层叠型存储器件，其中，所述多个有源区被平行地布置在所述半导体衬底上并彼此分开。

16.如权利要求15所述的层叠型存储器件，其中，所述位线被布置并层叠成与所述有源区一一对应。