[发明专利]电路载体、电路载体装置和制造电路载体的方法

权利要求书

1.一种电路载体（100），包括：底侧（100b）；在垂直方向（v）上与所述底侧间隔开的顶侧（100t）；由陶瓷材料制成的陶瓷体（1），所述陶瓷体具有多个其中没有所述陶瓷体（1）的陶瓷材料的间隙（3）；以及固态的填充金属（2）；其中，所述间隙（3）在整体上却部分地未完全填充所述填充金属（2）。

2.根据权利要求1所述的电路载体（100），其中，所述陶瓷体（1）具有的总体积是所述陶瓷材料和所述间隙（3）的体积之和，其中，位于所述间隙（3）中的所述填充金属（2）的体积占所述陶瓷体（1）总体积的至少10%，并且最多90%；或者占所述陶瓷体（1）的总体积的至少20%，并且最多80%。

3.根据权利要求1或2所述的电路载体（100），其中，连接在一起的、非中断的空间区域（18）是方形的，具有垂直于所述垂直方向（v）延伸的、至少3mmx3mm的底面，并且在所述垂直方向（v）上具有至少100μm的厚度（d18），所述空间区域完全布置在所述陶瓷体（1）内的所述顶侧（100t）和所述填充金属（2）之间，所述空间区域没有导电材料。

4.根据上述权利要求中任一项所述的电路载体（100），其中，所述填充金属（2）具有位于所述底侧（100b）和陶瓷体（1）之间的部段，其中，所述填充金属（2）构成连续封闭的层（20），所述层覆盖所述陶瓷体（1）的背离所述顶侧（100t）的一侧。

5.根据权利要求4所述的电路载体（100），其中，所述连续封闭的层（20）在所述垂直方向（v）上具有小于10mm的厚度（d20），或者具有的厚度（d20）的范围为100μm至500μm。

6.根据上述权利要求中任一项所述的电路载体（100），具有导电层（6），所述导电层直接涂覆在所述陶瓷体（1）的背离所述底侧（100b）的所述一侧上。

7.根据上述权利要求中任一项所述的电路载体（100），具有固态的电介质（4），利用所述电介质完全地或者部分地填充所述未填充所述填充金属（2）的间隙（3）。

8.根据权利要求7所述的电路载体（100），其中，所述固态的电介质（4）具有位于所述顶侧（100t）和所述陶瓷体（2）之间的部段，其中，所述电介质（4）构成连续封闭的层。

9.根据权利要求7或8中任一项所述的电路载体（100），具有导电层（6），所述导电层直接涂覆在所述固态的电介质（4）的背离底侧（100b）的所述一侧上。

10.根据上述权利要求中任一项所述的电路载体（100），其中，所述陶瓷体（1）由以下材料中的一种制成，或者具有以下材料中的一种或者多种：氧化铝（Al₂O₃）；氮化铝（AlN）；氮化硅（Si₃N₄）；碳化硅（SiC）；二硼化钛(TiB₂)。

11.根据上述权利要求中任一项所述的电路载体（100），其中，所述陶瓷体（1）在其背离底侧（100b）的所述一侧上具有盆形的凹陷处。

12.根据上述权利要求中任一项所述的电路载体（100），其中，所述填充金属（2）完全地或者原子百分比的至少90%由金属铝（Al）、铜（Cu）、镁（Mg）、锑（Sb）、锶（Sr）、锌（Zn）中的一种构成；或者由合金构成，所述合金的原子百分比的至少90%由金属铝（Al）、铜（Cu）、镁（Mg）、锑（Sb）、锶（Sr）、锌（Zn）中的一种或多种构成。

13.根据上述权利要求中任一项所述的电路载体（100），所述电路载体在垂直方向（v）上具有厚度（d100），所述厚度为

-至少0.1mm或者至少0.5mm或者至少1.0mm；和/或

-小于或等于20mm、小于或等于50mm或者小于或等于100mm。

14.根据前述权利要求中任一项所述的电路载体（100），其中，所述陶瓷体（1）在所述垂直方向（v）上具有厚度（d1），并且其中，所述填充金属（2）从所述陶瓷体（1）的所述底侧（100b）出发在所述垂直方向（v）上延伸至所述陶瓷体（1）的深度（d12）处，所述深度为

-至少1mm；或者

-至少是所述陶瓷体（1）的厚度（d1）的0.1倍和/或最高是0.9倍。