[发明专利]一种腐蚀磷化铟单晶片的腐蚀液及腐蚀方法

权利要求书

1.一种腐蚀磷化铟单晶片的腐蚀液，其特征在于，该腐蚀液的原料包括硫酸、双氧水、水；

以体积百分比计算，所述硫酸、所述双氧水和所述水的比例为（4-6）：（1-3）：（1-2）。

2.根据权利要求1所述的磷化铟单晶片的腐蚀液，其特征在于，以体积百分比计算，所述硫酸、所述双氧水和所述水的比例为5：2：1.5。

3.磷化铟单晶片的腐蚀方法，其特征在于，该方法包括以下步骤：

将硫酸、双氧水、水按照硫酸：双氧水：水=（4-6）：（1-3）：（1-2）的配比配制腐蚀液；

当腐蚀液达到60-75度的腐蚀温度时，将所述磷化铟单晶片放入所述腐蚀液中进行腐蚀，腐蚀时间为2-6分钟；

将所述磷化铟单晶片取出，迅速放入去离子水中清洗。

4.根据权利要求3所述的磷化铟单晶片的腐蚀方法，其特征在于，所述磷化铟单晶片放在夹具上，然后再对所述磷化铟单晶片进行腐蚀。

5.根据权利要求3所述的磷化铟单晶片的腐蚀方法，其特征在于，所述腐蚀液在采用石英材料制成的容器内进行混合。

6.根据权利要求3所述的磷化铟单晶片的腐蚀方法，其特征在于，所述腐蚀温度为65-70度。

7.根据权利要求5所述的磷化铟单晶片的腐蚀方法，其特征在于，所述腐蚀液的配制步骤如下：

将水和双氧水倒入所述容器中；

将硫酸缓慢倒入所述容器中；

将配制好的腐蚀液自然冷却。

8.根据权利要求3所述的磷化铟单晶片的腐蚀方法，其特征在于，将所述磷化铟单晶片取出，迅速放入去离子水中清洗的步骤之后，进一步包括对清洗后的所述磷化铟单晶片进行干燥。

9.根据权利要求4所述的磷化铟单晶片的腐蚀方法，其特征在于，在腐蚀过程中不断的摇动所述夹具。

10.根据权利要求3所述的磷化铟单晶片的腐蚀方法，其特征在于，所述腐蚀时间为3-5分钟。