[发明专利]基于静电场奇点自聚焦的圆片级低维纳米结构的制备方法

权利要求书

1.基于静电场奇点自聚焦的圆片级低维纳米结构的制备方法，其特征在于：包括如下步骤：

（一）、低维纳米结构物理衬底模板的制备：

步骤一：取直径为3inch～6inch、厚度为300～600μm的圆片级硅片衬底（1），采用热氧化法在圆片级硅片衬底（1）的正面和背面均生长一层厚度为300nm～500nm的SiO₂掩膜层（2）； 

步骤二：将圆片级硅片衬底（1）的正面进行表面清洁处理后涂一层正性光刻胶；利用光刻工艺，使圆片级硅片衬底（1）的正面上得到与掩膜板上形状相同的光刻图形（3）；

步骤三：采用等离子体干法刻蚀方法将圆片级硅片衬底（1）正面的SiO₂掩膜层（2）的露出部分腐蚀掉；

步骤四：采用湿法各向异性腐蚀方法将圆片级硅片衬底（1）放入腐蚀液中对圆片级硅片衬底（1）进行刻蚀，从而将圆片级硅片衬底（1）的正面上露出部分腐蚀掉并将圆片级硅片衬底（1）顶部与光刻图形（3）接触的部分腐蚀成尖端状结构（4）；其中腐蚀液是由质量百分比为KOH：IPA：H₂O=23%：14%：63%混合而成；

步骤五：将圆片级硅片衬底（1）放入与正性光刻胶配套的剥离液中反应,从而去除圆片级硅片衬底（1）正面的光刻图形（3）； 

步骤六：将圆片级硅片衬底（1）放入由体积百分比为HF: H₂O=1:5混合而成的氢氟酸溶液中去除圆片级硅片衬底（1）正面和背面的SiO₂掩膜层（2），从而得到带有尖端状结构（4）的低维纳米结构物理衬底模板；

（二）、将低维纳米结构物理衬底模板放在内设贵金属靶材的磁控溅射仪的目标靶上，将磁控溅射仪内通入惰性气体氩气，惰性气体电离后轰击贵金属靶材从而使脱离贵金属靶材的贵金属纳米颗粒进行合成后淀积到低维纳米结构物理衬底模板上，在静电场奇点效应下合成的贵金属纳米颗粒有序紧凑的沉积到尖端状结构（4）的尖端上从而得到一层贵金属薄膜； 

(三)、将低维纳米结构物理衬底模板进行退火工艺，从而最终得到圆片级低维纳米结构。

2.根据权利要求1所述的基于静电场奇点自聚焦的圆片级低维纳米结构的制备方法，其特征在于：所述磁控溅射仪采用Qprep400-BASE型纳米团簇沉积系统。