[发明专利]一种金属硅化物半导体的形成方法

权利要求书

1.一种金属硅化物半导体的形成方法，包括步骤：

a)提供半导体衬底；

b)在所述衬底上依次形成栅极介电层、多晶硅层和硬掩膜层；

c)图案化所述硬掩膜层；

d)在所述图案化了的硬掩膜层的侧壁上形成第一间隙壁；

e)以所述硬掩膜层和所述第一间隙壁为掩膜蚀刻所述多晶硅层和所述栅极介电层，形成栅极结构；

f)去除所述硬掩膜层或所述第一间隙壁；

g)以所述硬掩膜层或所述第一间隙壁为掩膜部分刻蚀多晶硅层以形成凸的形状或形成凹的形状；

h)在所述衬底上和所述凹或凸的多晶硅层上执行自对准硅化物形成工艺；

i)在所述衬底中形成源极和漏极。

2.根据权利要求1所述的方法，还包括在步骤e)之后在所述栅极结构和所述衬底上形成第二间隙壁。

3.根据权利要求2所述的方法，其中所述第二间隙壁高于、矮于或等于所述多晶硅层。

4.根据权利要求1所述的方法，还包括在步骤e)之后部分去除所述硬掩膜层使所述硬掩膜层顶部低于所述第一间隙壁。

5.根据权利要求2所述的方法，还包括在所述第二间隙壁形成之后形成层间介电层于所述衬底上。

6.根据权利要求5所述的方法，还包括对所述层间介电层进行CMP和回蚀刻以露出所述第一间隙壁的步骤。

7.根据权利要求1所述的方法，还包括在所述步骤g)后去除所述第一间隙壁或所述硬掩膜层的步骤。

8.根据权利要求5所述的方法，还包括在所述步骤g)后去除所述层间介电层。

9.根据权利要求1所述的方法，其中使用氧化物、氮化物、氮氧化物、A-C、BN或其组合形成所述硬掩膜层。

10.根据权利要求1所述的方法，其中使用氧化物、氮化物、氮氧化物、A-C、BN或其组合形成所述第一间隙壁。

11.根据权利要求2所述的方法，其中使用氧化物、氮化物、氮氧化物、A-C、BN或其组合形成所述第二间隙壁。

12.根据权利要求1所述的方法，其中步骤c)中所述形成的硬掩膜层具有大于100埃的厚度。

13.根据权利要求1所述的方法，其中步骤g)中刻蚀50-500埃的多晶硅层。

14.根据权利要求1所述的方法，其中所述金属硅化物半导体是CMOS。

15.根据权利要求2所述的方法，其中还包括在所述形成第二间隙壁的步骤之前执行轻掺杂源极/漏极的步骤。