[发明专利]用于堆叠裸片组合件的经重组晶片的激光辅助式分裂

说明书

技术领域

所揭示的实施例涉及利用经重组晶片的堆叠裸片组装方法。

背景技术

常规的堆叠裸片组装方法涉及裸片到裸片(D2D)组装，此时顶部裸片延伸超过底部裸片的周边或边界(例如，区域)。然而，裸片到晶片(D2W)组装出于成本原因而比D2D优选。一种用以针对此类裸片堆叠实现D2W组装的选项是在半导体晶片上将下部裸片隔开以允许D2W接合。然而，下部裸片之间的大间隙导致损失原本可用的裸片区域。另一种D2W选项涉及在载体晶片上接合顶部裸片之前创建“经重组晶片”以实现所需要的间隔，所述“经重组晶片”是通过将较小裸片接合到载体晶片来形成的。

发明内容

所揭示的实施例认识到，在使用常规的机械切割操作来用于使用经重组晶片方法形成堆叠裸片组合件的情况下，随着切割刀片紧密靠近顶部半导体裸片上的外围接合垫，包括碎片的浆液可能会沉积在其上。包括碎片的浆液可能会损伤或污染暴露的外围垫，这可能会阻止可靠地线接合到所述外围垫。已发现顶部半导体裸片上的外围接合垫受到损伤和污染在第一半导体裸片相对较薄(例如，＜120μm)且裸片之间的间隙较小(例如，＜25μm)时问题较多。

所揭示的实施例包含对用于形成堆叠裸片组合件的经重组晶片进行激光辅助式分裂，所述激光辅助式分裂在不损伤或污染顶部裸片的外围接合垫的情况下单一化所述堆叠裸片。一个所揭示的实施例是一种形成堆叠裸片装置的方法，其包含将多个第一半导体裸片附接到晶片的表面上以形成经重组晶片，且接着将多个第二半导体裸片以其顶侧向下的方式接合到所述多个第一半导体裸片上以形成多个附接到所述晶片的单一化堆叠裸片装置。所述晶片可包括载体晶片或包含多个介入物裸片的晶片。将支撑带附接到所述多个第二半导体裸片的底侧。

使用激光来在机械上削弱所述晶片但不切穿既定切割道的条件下在与所述多个第一半导体裸片之间的间隙对准的既定切割位置处照射所述载体晶片。在激光照射之前或之后施加切割带。牵拉所述切割带，从而导致沿着既定切割道将所述晶片分裂(或分离)成多个单一化部分。在分裂之前移除所述支撑带，这通常在牵拉/拉伸切割带的同时发生。每一单一化部分附接到所述切割带且包含位于晶片部分上的多个单一化堆叠裸片装置中的一者。接着可从切割带移除所述单一化堆叠裸片装置，且在一个实例实施例中，可将所述单一化堆叠裸片装置附接到例如引线框等封装衬底，之后进行线接合。

附图说明

图1为展示根据实例实施例的包含对经重组晶片进行激光辅助式分裂的用于形成堆叠裸片装置的实例方法中的步骤的流程图。

图2A为根据实例实施例的在将多个第一半导体裸片附接到晶片表面上以形成经重组晶片之后的布置的横截面描绘。

图2B为根据实例实施例的将第二半导体裸片以顶侧向下的方式接合到第一半导体裸片上以在载体晶片上形成多个堆叠裸片装置的布置的横截面描绘。

图2C为根据实例实施例的在将支撑带附接到所述多个第二半导体裸片的底侧之后的布置的横截面描绘。

图2D为针对在激光照射之后将切割带施加到所述晶片的实施例的在激光照射步骤之后的所得布置的横截面描绘。

图2E为根据实例实施例的在激光照射之后附接切割带之后的所得布置的横截面描绘。

图2F为根据实例实施例的在牵拉所述切割带以沿着既定切割道将所述晶片分裂成多个单一化部分之后的布置的横截面描绘，其展示沿切割道分割成多个载体部分的载体晶片，所述载体部分各自保持附接到切割带。

图3A为展示根据实例实施例的针对在激光照射之前施加所述切割带的替代实施例的在翻转图2C所示的布置且将切割带附接到载体晶片之后得到的布置的横截面描绘。

图3B为展示根据实例实施例的在穿过切割带进行激光照射之后得到的布置的横截面描绘。

图3C为展示根据实例实施例的在牵拉所述切割带以沿着既定切割道将载体晶片分裂成多个单一化部分之后得到的布置的横截面描绘，所述单一化部分包括各自上面具有堆叠装置的若干载体部分，所述堆叠装置保持附接到切割带。

图4为根据实例实施例的通过所揭示的方法形成的实例堆叠裸片装置的横截面图，所述方法包含对经重组晶片进行激光辅助式分裂，其中所述晶片包括介入物。

图5A和5B为根据实例实施例的在所揭示的激光辅助式分裂之后的硅裸片的边缘的扫描图像，其分别展示在1遍式和2遍式激光照射过程之后的特征微裂纹。

具体实施方式