[发明专利]半导体装置及其制造方法

权利要求书

1.一种半导体装置，该半导体装置具有：

第1导电型的第1半导体层，

第2导电型的第2半导体层，其形成于所述第1半导体层的上面，所述第1导电型与第2导电型相反，

第2导电型的第3半导体层，其与所述第2半导体层相接，其杂质浓度高于所述第2半导体层的杂质浓度，

第1导电型的第4半导体层，其形成于所述第3半导体层上面，

第2导电型的第5半导体区域，其与所述第4半导体层相接，

沟槽，其由所述第5半导体区域的上面开始，至少到达所述第4半导体层的下面，

绝缘膜，其形成于所述沟槽的侧面及底面，以及

控制电极，其形成于所述绝缘膜的内侧的沟槽中，

其中，所述第3半导体层是外延生长层。

2.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，该半导体装置还包括

第2导电型的第6半导体层，其形成于所述第1半导体层与所述第2半导体层之间，具有比所述第2半导体层更高的杂质浓度。

3.根据权利要求1或2所述的半导体装置，其特征在于，

在所述第3半导体层中，与所述第2半导体层相邻一侧的杂质浓度高于与所述第4半导体层相邻一侧的杂质浓度。

4.根据权利要求1或2所述的半导体装置，其特征在于，该半导体装置还包括

第2导电型的第7半导体层，其形成于第3半导体层与第4半导体层之间，具有比所述第3半导体层更低的杂质浓度。

5.根据权利要求1或2所述的半导体装置，其特征在于，该半导体装置还包括

第2导电型的第8半导体层，其在所述第2半导体层内的深度方向，与所述第3半导体层相分离，其杂质浓度高于所述第2半导体层的杂质浓度。

6.根据权利要求5所述的半导体装置，其特征在于，

所述第2导电型的第8半导体层是外延生长层。

7.根据权利要求6所述的半导体装置，其特征在于，

在所述第2导电型的第3半导体层以及第2导电型的第8半导体层中，与所述第1导电型的第1半导体层相近的半导体层的杂质浓度高于另一半导体层的杂质浓度。

8.根据权利要求1或2所述的半导体装置，其特征在于，

所述第3半导体层的上面位于所述沟槽的下方。

9.根据权利要求8所述的半导体装置，其特征在于，

所述第1导电型的第4半导体层是外延生长层。

10.一种半导体装置的制造方法，其包括以下步骤：

由第1导电型形成第1半导体层，

在所述第1半导体层的上面，由与所述第1导电型相反的第2导电型形成第2半导体层，

与所述第2半导体层相接，由具有比所述第2半导体层更高的杂质浓度的第2导电型形成第3半导体层，

在所述第3半导体层上面，形成第1导电型的第4半导体层，

形成与所述第4半导体层相接的，第2导电型的第5半导体区域，

在所述第5半导体区域的上面开始，形成至少到达所述第4半导体层下面的沟槽，

在所述沟槽的侧面及底面形成绝缘膜，以及

在所述绝缘膜的内侧形成控制电极，

其中，所述第3半导体层是由外延生长形成。

11.根据权利要求10所述的半导体装置的制造方法，其特征在于，

在所述第1导电型的第1半导体层与所述第2半导体层之间，形成具有比所述第2半导体层更高的杂质浓度的第2导电型的第6半导体层。

12.根据权利要求10或11所述的半导体装置的制造方法，其特征在于，

在所述第3半导体层中，与所述第2半导体层相邻一侧的杂质浓度高于与所述第4半导体层相邻一侧的杂质浓度。

13.根据权利要求10或11所述的半导体装置的制造方法，其特征在于，

在第3半导体层与第4半导体层之间，形成具有比所述第3半导体层的杂质浓度更低的第2导电型的第7半导体层。

14.根据权利要求10或11所述的半导体装置的制造方法，其特征在于，

在所述第2半导体层内的深度方向，与所述第3半导体层相分离，还形成具有比所述第2半导体层更高的杂质浓度的第2导电型的第8半导体层。