[发明专利]一种转移二维纳米薄膜的方法

权利要求书

1.一种转移二维纳米薄膜的方法，其特征在于包括以下步骤：

1) 在二维纳米薄膜与合成该二维纳米薄膜的衬底之间的界面插入隔离层；

2) 在所述的二维纳米薄膜的表面制备支撑层；

3) 将所述步骤2)得到的支撑层/二维纳米薄膜与合成该二维纳米薄膜的衬底分离。

2.根据权利要求1所述的转移二维纳米薄膜的方法，其特征在于所述的步骤3)完成以后，

还依次包括以下步骤：将所述的支撑层/二维纳米薄膜转移到实际使用该二维纳米薄膜的目标基底上；将所述的支撑层除掉。

3.根据权利要求1或2所述的转移二维纳米薄膜的方法，其特征在于所述的步骤1)包括以下步骤：

a) 将二维纳米薄膜与化学物质接触；

b) 所述的化学物质扩散到二维纳米薄膜与合成该二维纳米薄膜的衬底之间的界面而形成隔离层。

4.根据权利要求3所述的转移二维纳米薄膜的方法，其特征在于所述的化学物质选自气体、固体、液体中的至少任意一种，所述的气体包括H₂、O₂、NO₂、CO₂、F₂、Cl₂、Br₂，所述的固体包括Li、Na、K、Rb、Cs、Au、Pt、Pd、Ni、Mn、Fe、Cr、Co、In、Ce、Mg、Al、Ag、Si、Ge、S，所述的液体包括金属氯化物溶液、冰醋酸溶液、硝酸铵溶液、草酸钾溶液、草酸铵溶液、含有Li离子的盐溶液。

5.根据权利要求3所述的转移二维纳米薄膜的方法，其特征在于所述的将二维纳米薄膜与化学物质接触是指：当所述的化学物质为气态时，将二维纳米薄膜暴露于所述化学物质的气氛中；当所述的化学物质为固态时，在二维纳米薄膜的表面沉积生长所述的化学物质；当所述的化学物质为液态时，将二维纳米薄膜浸入所述化学物质中。

6.根据权利要求3所述的转移二维纳米薄膜的方法，其特征在于步骤b)中所述的扩散是指所述的化学物质从二维纳米薄膜/合成该二维纳米薄膜的衬底的体系之外扩散或插入到二维纳米薄膜与合成该二维纳米薄膜的衬底之间的界面，形成隔离层而降低二维纳米薄膜与合成该二维纳米薄膜的衬底之间的相互作用力。

7.根据权利要求1或2所述的转移二维纳米薄膜的方法，其特征在于所述的支撑层材料包括基于硅的有机化合物、基于丙烯的化合物、基于环氧基的化合物、导电聚合物、光刻胶、塑料、金属浆料、金属、半导体、无机绝缘材料中的任意一种或二种以上的组合。

8.根据权利要求1或2所述的转移二维纳米薄膜的方法，所述的分离是指采用物理方法或者化学方法将支撑层/二维纳米薄膜与合成该二维纳米薄膜的衬底分离。

9.根据权利要求8所述的转移二维纳米薄膜的方法，其特征在于所述的物理方法是施加作用力将支撑层/二维纳米薄膜与合成该二维纳米薄膜的衬底分离；所述的化学方法是利用化学反应去除隔离层或者去除合成该二维纳米薄膜的衬底而使支撑层/二维纳米薄膜与合成该二维纳米薄膜的衬底分离。

10.根据权利要求9所述的转移二维纳米薄膜的方法，其特征在于所述的施加作用力是指分别在支撑层/二维纳米薄膜和合成该二维纳米薄膜的衬底上施加方向相反的力，而使支撑层/二维纳米薄膜与合成该二维纳米薄膜的衬底分离；或者对着所述的隔离层的方向施加力，将支撑层/二维纳米薄膜与合成该二维纳米薄膜的衬底分离；或者固定合成该二维纳米薄膜的衬底，只在支撑层/二维纳米薄膜上施加力，而使支撑层/二维纳米薄膜与合成该二维纳米薄膜的衬底分离；或者固定支撑层/二维纳米薄膜，只在合成该二维纳米薄膜的衬底上施加力而使支撑层/二维纳米薄膜与合成该二维纳米薄膜的衬底分离。

11.根据权利要求1或2所述的转移二维纳米薄膜的方法，其特征在于所述的二维纳米薄膜包括石墨烯薄膜、硅烯薄膜、锗烯薄膜、元素锡构成的类石墨烯薄膜、金属硫族化合物薄膜、氮化硼薄膜。