[发明专利]像素电路及其驱动方法和有机发光显示器

权利要求书

1.一种像素电路，其特征在于，包括驱动薄膜晶体管、发光控制单元、驱动控制单元、存储电容、第一电容和有机发光二极管，其中，

所述驱动薄膜晶体管，栅极与所述存储电容的第一端连接，源极与所述发光控制单元的第一端连接，漏极与所述驱动控制单元的第一端连接；

所述存储电容的第二端与所述第一电容的第一端连接；

所述发光控制单元，第二端与所述驱动薄膜晶体管的栅极连接，第三端与所述驱动薄膜晶体管的漏极连接，第四端接地，控制端与发光控制线连接；

所述驱动控制单元，第二端与所述有机发光二极管的阴极连接，第三端与所述驱动薄膜晶体管的源极连接，第四端与数据线连接，控制端与扫描线连接；

所述第一电容的第二端接地；

所述有机发光二极管与驱动电源的高电平输出端连接。

2.如权利要求1所述的像素电路，其特征在于，

所述发光控制单元包括第一薄膜晶体管和第二薄膜晶体管；

所述第一薄膜晶体管，栅极与发光控制线连接，源极与所述驱动薄膜晶体管的漏极连接，漏极与所述驱动薄膜晶体管的栅极连接；

所述第二薄膜晶体管，栅极与发光控制线连接，源极接地，漏极与所述驱动薄膜晶体管的源极连接。

3.如权利要求2所述的像素电路，其特征在于，

所述驱动控制单元包括第三薄膜晶体管、第四薄膜晶体管和第五薄膜晶体管；

所述第三薄膜晶体管，栅极与扫描线连接，源极与数据线连接，漏极与所述存储电容的第二端连接；

所述第四薄膜晶体管，栅极与扫描线连接，源极与所述有机发光二极管的阴极连接，漏极与所述驱动薄膜晶体管的漏极连接；

所述第五薄膜晶体管，栅极与扫描线连接，源极与所述存储电容的第二端连接，漏极与所述驱动薄膜晶体管的源极连接。

4.如权利要求3所述的像素电路，其特征在于，

所述第一薄膜晶体管和所述第四薄膜晶体管是p型TFT，所述第二薄膜晶体管、所述第三薄膜晶体管和所述第五薄膜晶体管是n型TFT。

5.一种有机发光显示器，其特征在于，包括如权利要求1至4中任一权利要求所述的像素电路。

6.一种驱动方法，应用于如权利要求1至4中任一权利要求所述的像素电路，其特征在于，包括以下步骤：

发光控制单元和驱动控制单元控制驱动薄膜晶体管进入饱和状态；

驱动控制单元控制使得存储电容的第一端与第二端之间的电压差值为驱动薄膜晶体管的阈值电压Vth；

驱动控制单元和发光控制单元控制驱动薄膜晶体管驱动OLED发光，并使得驱动薄膜晶体管的栅源电压补偿驱动薄膜晶体管的阈值电压，Vdata为数据线的输出电压。

7.如权利要求6所述的驱动方法，其特征在于，

发光控制单元和驱动控制单元控制驱动薄膜晶体管进入饱和状态步骤包括：扫描线和发光控制线输出低电平，发光控制单元控制导通驱动薄膜晶体管的栅极与漏极之间的连接，驱动控制单元控制导通驱动薄膜晶体管的漏极与OLED之间的连接，使得驱动薄膜晶体管进入饱和状态；

驱动控制单元控制使得存储电容的第一端与第二端之间的电压差值为驱动薄膜晶体管的阈值电压Vth步骤包括：扫描线输出高电平并发光控制线输出低电平，驱动控制单元控制断开驱动薄膜晶体管的漏极与OLED之间的连接，控制导通数据线与存储电容的第二端之间的连接，并控制导通存储电容的第二端与驱动薄膜晶体管的源极之间的连接，数据电压写入，驱动薄膜晶体管的栅极电压为Vdata+Vth，驱动薄膜晶体管的源极电压为Vdata，存储电容的第一端与第二端之间的电压差值为Vth；

驱动控制单元和发光控制单元控制驱动薄膜晶体管驱动OLED发光，并使得驱动薄膜晶体管的栅源电压补偿驱动薄膜晶体管的阈值电压步骤包括：扫描线输出低电平并发光控制线输出高电平，驱动控制单元控制导通驱动薄膜晶体管的漏极与OLED之间的连接；发光控制单元控制导通驱动薄膜晶体管的源极与地端的连接，驱动薄膜晶体管的栅极电压仍为Vdata+Vth，驱动薄膜晶体管的栅源电压为Vdata+Vth，从而使得驱动薄膜晶体管的栅源电压补偿驱动薄膜晶体管的阈值电压。