[发明专利]半导体器件及其制造方法

权利要求书

1.一种半导体器件的制造方法，其包括下述步骤：

设置由多个层弯曲地层叠的堆叠，其包括低水平处的第一区域和高水平处的第二区域；

对所述堆叠进行平坦化，使在所述多个层中位于所述第一区域的一部分层形成为L形状；以及

对所述堆叠进行图案化，使得在所述第一区域中将所述L形状的层形成为阶梯式，同时在所述第二区域中将不是所述L形状的其他层形成为所述阶梯式。

2.权利要求1的半导体器件的制造方法，其中设置所述堆叠的步骤包括：

设置具有低水平处上表面和高水平处上表面的阶梯式衬底；以及

在所述阶梯式衬底上沿着所述阶梯式衬底的上表面形状层叠所述多个层。

3.权利要求2的半导体器件的制造方法，其中设置所述阶梯式衬底的步骤包括：

设置具有平坦上表面的衬底；以及

使所述衬底的上表面凹陷而形成所述阶梯式衬底。

4.权利要求2的半导体器件的制造方法，其中设置所述阶梯式衬底的步骤包括：

设置具有平坦上表面的衬底；以及

在所述衬底上形成从所述衬底的上表面凸出的绝缘层。

5.权利要求2的半导体器件的制造方法，其中层叠所述多个层的步骤包括：

在所述阶梯式衬底上交替地层叠多个第一绝缘层和与所述第一绝缘层的蚀刻选择比不同的多个第二绝缘层或多个导电层。

6.权利要求1的半导体器件的制造方法，其中对所述堆叠进行平坦化的步骤包括：

通过利用依次收缩或扩大的掩模的蚀刻，在所述第一区域依次对所述L形状的层进行图案化；以及

在所述第二区域，依次对与所述L形状的层处于相同水平处的、不是所述L形状的其他层进行图案化。

7.权利要求1的半导体器件的制造方法，其中设置所述堆叠的步骤包括：

设置这样的堆叠，其在所述第一区域和所述第二区域之间还包括中间水平处的第三区域，其中所述第三区域高于所述第一区域且低于所述第二区域。

8.一种半导体器件的制造方法，其包括下述步骤：

在阶梯式衬底上交替地层叠多个第一层和多个第二层而形成包括低水平处的第一区域和高水平处的第二区域的堆叠；

对所述堆叠进行平坦化而使包括在所述第一区域中的所述第一层和所述第二层形成为L形状；

依次对包括在所述第一区域中的所述L形状的第一层和第二层进行图案化而形成第一阶梯式结构，同时依次对与所述L形状的第一层和第二层处于相同水平处的、包括在所述第二区域中的第一层和第二层进行图案化而形成第二阶梯式结构。

9.权利要求8的半导体器件的制造方法，其中：

所述第一层包括第一绝缘层；

所述第二层包括与所述第一绝缘层的蚀刻选择比不同的第二绝缘层或导电层。

10.权利要求9的半导体器件的制造方法，其中还包括下述步骤：

在形成所述第一阶梯式结构和所述第二阶梯式结构之后或者之前，穿过所述堆叠而形成与所述衬底电连接的垂直沟道。

11.权利要求9的半导体器件的制造方法，其中还包括下述步骤：

在形成所述第一阶梯式结构和所述第二阶梯式结构之后或者之前，选择性地移除所述第二绝缘层；以及

在所述第一绝缘层之间形成与所述垂直沟道电连接的导电体。

12.权利要求8的半导体器件的制造方法，其中还包括下述步骤：

形成与形成在所述第一区域中的第一阶梯式结构连接的第一接触插头；以及

与此同时，形成与形成在所述第二区域中的第二阶梯式结构连接的第二接触插头。

13.一种半导体器件，其包括：

在阶梯式衬底上设置的多个垂直沟道；

栅极堆叠，其设置在所述阶梯式衬底上，包括沿着所述垂直沟道的延伸方向垂直分离并分别具有接触区的多个导电层；以及

与所述多个导电层的多个接触区连接的垂直的多个接触插头，

其中，所述多个导电层包括阶梯式图案的多个第一导电层和层叠在所述多个第一导电层上的L形状图案的多个第二导电层，

所述第一导电层的接触区与所述第一导电层的其他部分相比位于抬高的水平处。