[发明专利]一种氧化铝薄膜及制备方法及其应用

权利要求书

1.一种氧化铝薄膜的制备方法，包括以下步骤：

（1）制备铝前驱体溶液

将含有铝金属离子的前驱体材料和稳定剂溶解于溶剂中，充分搅拌使其充分溶解，得到前驱体溶液；

（2）制备氧化铝薄膜

将步骤（1）制备的反应溶液在涂布面上涂布成膜，经热处理程序得到氧化铝薄膜。

2.根据权利要求1所述氧化铝薄膜的制备方法，其特征在于：

所述稳定剂为一乙醇胺、二乙醇胺、三乙醇胺、柠檬酸、乙二醇单甲醚、丙二醇单甲醚、丁二醇单甲醚、乙二醇、甘油、丙二醇中的一种或几种。

3.根据权利要求1或2所述氧化铝薄膜的制备方法，其特征在于，所述含有铝金属离子的前驱体材料选自以下材料的一种或几种：

氢氧化铝Al（OH）₃；

氯化铝及其水合物AlCl₃；

硝酸铝及其水合物Al（NO₃）₃；

磷酸铝及其水合物AlPO₃；

磷酸一氢铝及其水合物Al₂（HPO₃）₃；

磷酸二氢铝及其水合物AL（H₂PO₃）₃；

亚硫酸铝及其水合物Al₂(SO₃)₃；

硫酸铝及其水合物Al₂(SO₄)₃；

异丙醇铝Al（OPr）₃；

二异丁基氢化铝

醋酸铝及其水合物Al(OAc)₃；

羧酸铝Al（OOC-R）₃

其中R=H

CH₃-(CH₂)_n-

[CH₃-(CH₂)_n]₂CH-

[CH₃-(CH₂)_n]₃C-       0≤n≤5；

铝的醇盐Al(OR)₃

其中R=CH₃-(CH₂)_n-

[CH₃-(CH₂)_n]₂CH-

[CH₃-(CH₂)_n]₃C-       0≤n≤5。

4.根据权利要求1-3任一所述氧化铝薄膜的制备方法，其特征在于：

所述含有铝金属离子的前驱体材料和稳定剂的摩尔比为：1:1~1:20。

5.根据权利要求1-4任一所述氧化铝薄膜的制备方法，其特征在于：

所述热处理程序在不高于500℃的温度下进行。

6.根据权利要求5所述氧化铝薄膜的制备方法，其特征在于：

所述热处理程序为：从100-220℃开始，以5-60℃/min的升温速率升温，温度每上升10-120℃，恒温处理30s时间，直至预定温度300-500℃，继续热处理至少2min，自然冷却至室温。

7.根据权利要求1所述氧化铝薄膜的制备方法，其特征在于：所述含有铝金属离子的前驱体材料为硝酸铝，所述稳定剂为一乙醇胺，所述溶剂为丙二醇单甲醚。

8.权利要求1-7任一所述氧化铝薄膜的制备方法制备的氧化铝薄膜。

9.一种薄膜晶体管，其特征在于，采用权利要求7所述氧化铝薄膜作为栅介质层。

10.权利要求9所述薄膜晶体管的制备方法，包括以下步骤：

第一步：对ITO导电玻璃进行刻蚀、超声清洗、烘干；

第二步：按照权利要求1-8任一所述制备方法在进行第一步处理后的ITO导电玻璃上制备一定厚度的氧化铝栅介质层；

第三步：在所述氧化铝栅介质层上制备ZTO半导体层；

第四步：在半导体层上制备源、漏电极，之后封装得到薄膜晶体管。