[发明专利]半导体覆晶接合结构及方法

权利要求书

1.一种半导体覆晶接合结构，包括：

一第一半导体元件，具有一金属柱；

一第一介金属化合物，直接位于该金属柱上；

一第二半导体元件，具有一电性接点；

一第二介金属化合物，邻接于该电性接点；及

一焊料层，位于该第一介金属化合物及该第二介金属化合物之间。

2.如权利要求1的半导体覆晶接合结构，其中该金属柱的材质为铜，该第一介金属化合物直接接触该铜金属柱，且该第一介金属化合物的材质与该第二介金属化合物的材质相同。

3.如权利要求2的半导体覆晶接合结构，其中该第一介金属化合物的材质与该第二介金属化合物的材质皆为(Cu，Ni)₆Sn₅。

4.如权利要求2的半导体覆晶接合结构，其中该第一介金属化合物的材质与该第二介金属化合物的材质更包括(Pd，Ni)Sn₄以及(Ni，Cu)₃Sn₄及其他金属化合物。

5.如权利要求1的半导体覆晶接合结构，其中该电性接点为一焊垫，该第二半导体元件更具有一表面处理层，位于该焊垫上，且该第二介金属化合物直接位于该表面处理层上。

6.如权利要求5的半导体覆晶接合结构，其中该表面处理层的材质为镍、镍锡、镍金、镍钯或镍钯金。

7.如权利要求1的半导体覆晶接合结构，其中该金属柱具有一外围保护层，位于该金属柱的侧壁，且包围该金属柱。

8.如权利要求1的半导体覆晶接合结构，其中该第一介金属化合物及该第二介金属化合物的厚度皆约为2μm，且该焊料层的厚度约为15至16μm。

9.如权利要求1的半导体覆晶接合结构，其中当该半导体覆晶接合结构通电一段时间后，该第一介金属化合物及该第二介金属化合物的厚度会成长至约为3.5μm，且该焊料层的厚度会减少至约为13μm。

10.一种半导体覆晶接合结构，包括：

一第一半导体元件，具有一金属柱、一障蔽层及一镀层，该障蔽层位于该金属柱的一末端上，该镀层位于该障蔽层上；

一第一介金属化合物，直接位于该镀层上；

一第二半导体元件，具有一电性接点；

一第二介金属化合物，邻接于该电性接点；及

一焊料层，位于该第一介金属化合物及该第二介金属化合物之间。

11.如权利要求10的半导体覆晶接合结构，其中该镀层的材质与该金属柱的材质相同。

12.如权利要求10的半导体覆晶接合结构，其中该镀层与该金属柱的材质为铜，该第一介金属化合物直接接触该铜镀层，且该第一介金属化合物的材质与该第二介金属化合物的材质相同，其皆为(Cu，Ni)₆Sn₅。

13.如权利要求10的半导体覆晶接合结构，其中该第一介金属化合物的材质与该第二介金属化合物的材质更包括(Ni，Cu)₃Sn₄及其他介金属化合物。

14.如权利要求10的半导体覆晶接合结构，其中该第一半导体元件更具有一金属线路层，该金属柱邻接于该金属线路层上，且电性连接该金属线路层。

15.如权利要求10的半导体覆晶接合结构，其中该电性接点为一焊垫，该第二半导体元件更具有一表面处理层，位于该焊垫上，且该第二介金属化合物直接位于该表面处理层上。

16.如权利要求15的半导体覆晶接合结构，其中该表面处理层的材质为镍、镍锡、镍金、镍钯或镍钯金。

17.如权利要求10的半导体覆晶接合结构，其中该金属柱具有一外围保护层，位于该金属柱的侧壁，且包围该金属柱。