[发明专利]一种晶圆级芯片的封装方法

权利要求书

1.一种晶圆级芯片的封装方法，其中在晶圆所包含的芯片的正面设置有多个金属焊盘，其特征在于，包括以下步骤：

在任意一个所述的金属焊盘上至少焊接一个金属凸块；

形成一圆形的第一塑封层覆盖在晶圆的正面并将所述金属凸块包覆住，其中，第一塑封层的半径小于晶圆的半径从而在晶圆的正面形成一未被第一塑封层覆盖住的环形带区域，并且，任意一条位于相邻芯片间的切割线的两端均从第一塑封层下方延伸到该环形带区域内；

研磨减薄所述第一塑封层并将金属凸块从第一塑封层中予以外露；

沿着切割线两端所构成的直线在第一塑封层上实施切割以形成相应的切割槽；

在晶圆的背面实施研磨，以形成从晶圆的背面凹陷至晶圆内的一圆柱形凹槽，并形成位于晶圆边缘与圆柱形凹槽侧壁之间的一环形支撑结构；

在所述晶圆的暴露在圆柱形凹槽内的底面上沉积一层金属层；

将晶圆的周边部分切割掉；

沿切割槽对第一塑封层、晶圆、金属层实施切割，将多个所述芯片从晶圆上分离下来，且任意一个芯片的正面均覆盖有因切割第一塑封层而形成的顶部塑封层及其背面均覆盖有因切割金属层而形成的底部金属层；以及

所述的金属凸块均从所述顶部塑封层中予以外露。

2.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述切割槽具有向下延伸至接触晶圆正面的深度。

3.如权利要求1所述的方法，其特征在于，将晶圆的周边部分切割掉的步骤中，还包括将所述环形支撑结构切割掉。

4.如权利要求3所述的方法，其特征在于，所述圆柱形凹槽的内径小于第一塑封层的半径以便所述环形支撑结构与第一塑封层交叠；以及

在切割掉所述环形支撑结构的步骤中，第一塑封层周边的与环形支撑结构交叠的部分也同时被切割掉。

5.如权利要求1所述的方法，其特征在于，沉积所述金属层之前，还包括从晶圆暴露在圆柱形凹槽内的底面向晶圆的底部注入重掺杂的掺杂物的步骤。

6.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述圆柱形凹槽是利用一半径小于晶圆半径的研磨轮在晶圆的背面实施研磨而形成的。

7.如权利要求1所述的方法，其特征在于，在将晶圆的周边部分切割掉之后，还包括在所述金属层上覆盖一层第二塑封层的步骤；以及

沿切割槽对第一塑封层、晶圆、金属层实施切割的同时，还对所述第二塑封层实施切割，以形成覆盖在所述底部金属层上的底部塑封层。

8.如权利要求7所述的方法，其特征在于，在所述金属层上形成所述第二塑封层的步骤中，先将带有所述第一塑封层、金属层的晶圆设置在一加热的预热板之上预热一段时间，且第一塑封层面向所述预热板而金属层背离预热板；

然后再在所述金属层上形成所述第二塑封层。

9.如权利要求7所述的方法，其特征在于，在所述金属层上形成所述第二塑封层的步骤中，先将带有所述第一塑封层、金属层的晶圆设置在一加热的预热板所具有的一个圆柱形槽体结构之中预热一段时间，且第一塑封层面向圆柱形槽体结构的底部而金属层背离圆柱形槽体结构的底部；

然后再在所述金属层上形成所述第二塑封层。

10.如权利要求9所述的方法，其特征在于，所述晶圆、第一塑封层、金属层的总厚度与该圆柱形槽体结构具有的深度相同；以及

圆柱形槽体结构的半径与切割掉周边部分之后的晶圆的半径相同。