[发明专利]掩模块件及使用其的有机气相沉积装置与热蒸镀装置无效
申请号: | 201210279695.2 | 申请日: | 2012-08-07 |
公开(公告)号: | CN103572245A | 公开(公告)日: | 2014-02-12 |
发明(设计)人: | 王文俊;康恒达;苏国彰;黄湘霖 | 申请(专利权)人: | 联胜(中国)科技有限公司;胜华科技股份有限公司 |
主分类号: | C23C16/04 | 分类号: | C23C16/04;C23C14/04;C23C16/44;C23C14/24 |
代理公司: | 深圳新创友知识产权代理有限公司 44223 | 代理人: | 江耀纯 |
地址: | 523808 广东省东莞*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 模块 使用 有机 沉积 装置 热蒸镀 | ||
1.一种掩模块件,设置在一气体出口与一待镀基板之间,其特征在于,包含有:
一像素掩模,设置在所述气体出口与所述待镀基板之间,且具有多个第一开口;以及
一阻热掩模,设置在所述气体出口与所述像素掩模之间,且具有多个第二开口,其中各所述第二开口对应至少一所述第一开口设置。
2.如权利要求1所述的掩模块件,其特征在于,还包括一第一框架,且所述阻热掩模固定在所述第一框架上。
3.如权利要求2所述的掩模块件,其特征在于,还包括一第一隔热胶层,设置于所述阻热掩模与所述第一框架之间。
4.如权利要求2所述的掩模块件,其特征在于,还包括一第二框架,且所述像素掩模固定在所述第二框架上。
5.如权利要求4所述的掩模块件,其特征在于,所述第一框架设置在所述阻热掩模与所述气体出口之间,且所述第二框架设置在所述像素掩模与所述阻热掩模之间。
6.如权利要求4所述的掩模块件,其特征在于,所述第一框架设置在所述阻热掩模与所述像素掩模之间,且所述第二框架设置在所述像素掩模与所述待镀基板之间。
7.如权利要求4所述的掩模块件,其特征在于,还包括一第二隔热胶层,设置于所述像素掩模与所述第二框架之间。
8.如权利要求4所述的掩模块件,其特征在于,所述第一框架设置在所述阻热掩模与所述气体出口之间,且所述第二框架设置在所述像素掩模与所述待镀基板之间。
9.如权利要求8所述的掩模块件,其特征在于,还包括至少一间隙物,设置在所述阻热掩模与所述像素掩模之间,并与所述阻热掩模以及所述像素掩模相接触。
10.如权利要求2所述的掩模块件,其特征在于,所述像素掩模固定在所述第一框架上,且所述第一框架设置在所述阻热掩模与所述像素掩模之间。
11.如权利要求10所述的掩模块件,其特征在于,还包括一第三隔热胶层,设置于所述像素掩模与所述第一框架之间。
12.如权利要求2所述的掩模块件,其特征在于,还包括一冷却回路,设置在所述第一框架中,用以传输一冷却物质,以冷却所述第一框架。
13.如权利要求1所述的掩模块件,其特征在于,所述阻热掩模包括一体成型的一掩模部以及一框架部,且所述框架部的厚度大于所述掩模部的厚度。
14.如权利要求13所述的掩模块件,其特征在于,所述像素掩模固定于所述框架部上。
15.如权利要求1所述的掩模块件,其特征在于,还包括一隔热层,设置在所述阻热掩模面对所述气体出口的表面上。
16.如权利要求1所述的掩模块件,其特征在于,各所述第二开口大于各所述第一开口。
17.如权利要求1所述的掩模块件,其特征在于,所述阻热掩模为一共同掩模,且各所述第二开口对应多个所述第一开口设置。
18.一种有机气相沉积装置,用以沉积一有机材料于一待镀基板上,其特征在于,所述有机气相沉积装置包括:
一气体源,用以提供一待镀气体;
一控制阀,连接于所述气体源的出口,用以控制所述气体源的气体的流量与开关;
一气体喷头,对准所述待镀基板;
一管线,一端连接于所述控制阀,另一端连接于所述气体喷头,用以将所述待镀气体传递至所述气体喷头;以及
一掩模块件,设置在所述气体喷头与所述待镀基板之间,所述掩模块件包括:
一像素掩模,设置在所述气体喷头与所述待镀基板之间,且具有多个第一开口;以及
一阻热掩模,设置在所述气体喷头与所述像素掩模之间,且具有多个第二开口,其中各所述第二开口对应至少一所述第一开口设置。
19.一种热蒸镀装置,用以蒸镀一有机材料至一待镀基板上,其特征在于,所述热蒸镀装置包括:
一蒸镀源,用以蒸发所述有机材料;以及
一掩模块件,设置在所述蒸镀源与所述待镀基板之间,所述掩模块件包括:
一像素掩模,设置在所述蒸镀源与所述待镀基板之间,且具有多个第一开口;以及
一阻热掩模,设置在所述蒸镀源与所述像素掩模之间,且具有多个第二开口,其中各所述第二开口对应至少一所述第一开口设置。
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C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的