[发明专利]掩模块件及使用其的有机气相沉积装置与热蒸镀装置无效

专利信息
申请号: 201210279695.2 申请日: 2012-08-07
公开(公告)号: CN103572245A 公开(公告)日: 2014-02-12
发明(设计)人: 王文俊;康恒达;苏国彰;黄湘霖 申请(专利权)人: 联胜(中国)科技有限公司;胜华科技股份有限公司
主分类号: C23C16/04 分类号: C23C16/04;C23C14/04;C23C16/44;C23C14/24
代理公司: 深圳新创友知识产权代理有限公司 44223 代理人: 江耀纯
地址: 523808 广东省东莞*** 国省代码: 广东;44
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摘要:
搜索关键词: 模块 使用 有机 沉积 装置 热蒸镀
【权利要求书】:

1.一种掩模块件,设置在一气体出口与一待镀基板之间,其特征在于,包含有:

一像素掩模,设置在所述气体出口与所述待镀基板之间,且具有多个第一开口;以及

一阻热掩模,设置在所述气体出口与所述像素掩模之间,且具有多个第二开口,其中各所述第二开口对应至少一所述第一开口设置。

2.如权利要求1所述的掩模块件,其特征在于,还包括一第一框架,且所述阻热掩模固定在所述第一框架上。

3.如权利要求2所述的掩模块件,其特征在于,还包括一第一隔热胶层,设置于所述阻热掩模与所述第一框架之间。

4.如权利要求2所述的掩模块件,其特征在于,还包括一第二框架,且所述像素掩模固定在所述第二框架上。

5.如权利要求4所述的掩模块件,其特征在于,所述第一框架设置在所述阻热掩模与所述气体出口之间,且所述第二框架设置在所述像素掩模与所述阻热掩模之间。

6.如权利要求4所述的掩模块件,其特征在于,所述第一框架设置在所述阻热掩模与所述像素掩模之间,且所述第二框架设置在所述像素掩模与所述待镀基板之间。

7.如权利要求4所述的掩模块件,其特征在于,还包括一第二隔热胶层,设置于所述像素掩模与所述第二框架之间。

8.如权利要求4所述的掩模块件,其特征在于,所述第一框架设置在所述阻热掩模与所述气体出口之间,且所述第二框架设置在所述像素掩模与所述待镀基板之间。

9.如权利要求8所述的掩模块件,其特征在于,还包括至少一间隙物,设置在所述阻热掩模与所述像素掩模之间,并与所述阻热掩模以及所述像素掩模相接触。

10.如权利要求2所述的掩模块件,其特征在于,所述像素掩模固定在所述第一框架上,且所述第一框架设置在所述阻热掩模与所述像素掩模之间。

11.如权利要求10所述的掩模块件,其特征在于,还包括一第三隔热胶层,设置于所述像素掩模与所述第一框架之间。

12.如权利要求2所述的掩模块件,其特征在于,还包括一冷却回路,设置在所述第一框架中,用以传输一冷却物质,以冷却所述第一框架。

13.如权利要求1所述的掩模块件,其特征在于,所述阻热掩模包括一体成型的一掩模部以及一框架部,且所述框架部的厚度大于所述掩模部的厚度。

14.如权利要求13所述的掩模块件,其特征在于,所述像素掩模固定于所述框架部上。

15.如权利要求1所述的掩模块件,其特征在于,还包括一隔热层,设置在所述阻热掩模面对所述气体出口的表面上。

16.如权利要求1所述的掩模块件,其特征在于,各所述第二开口大于各所述第一开口。

17.如权利要求1所述的掩模块件,其特征在于,所述阻热掩模为一共同掩模,且各所述第二开口对应多个所述第一开口设置。

18.一种有机气相沉积装置,用以沉积一有机材料于一待镀基板上,其特征在于,所述有机气相沉积装置包括:

一气体源,用以提供一待镀气体;

一控制阀,连接于所述气体源的出口,用以控制所述气体源的气体的流量与开关;

一气体喷头,对准所述待镀基板;

一管线,一端连接于所述控制阀,另一端连接于所述气体喷头,用以将所述待镀气体传递至所述气体喷头;以及

一掩模块件,设置在所述气体喷头与所述待镀基板之间,所述掩模块件包括:

一像素掩模,设置在所述气体喷头与所述待镀基板之间,且具有多个第一开口;以及

一阻热掩模,设置在所述气体喷头与所述像素掩模之间,且具有多个第二开口,其中各所述第二开口对应至少一所述第一开口设置。

19.一种热蒸镀装置,用以蒸镀一有机材料至一待镀基板上,其特征在于,所述热蒸镀装置包括:

一蒸镀源,用以蒸发所述有机材料;以及

一掩模块件,设置在所述蒸镀源与所述待镀基板之间,所述掩模块件包括:

一像素掩模,设置在所述蒸镀源与所述待镀基板之间,且具有多个第一开口;以及

一阻热掩模,设置在所述蒸镀源与所述像素掩模之间,且具有多个第二开口,其中各所述第二开口对应至少一所述第一开口设置。

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