[发明专利]一种适用于工业自动化规模的蛹虫草栽培方法有效
申请号: | 201210279785.1 | 申请日: | 2012-08-07 |
公开(公告)号: | CN103563648A | 公开(公告)日: | 2014-02-12 |
发明(设计)人: | 胡健 | 申请(专利权)人: | 北京中怡远大机电设备有限公司 |
主分类号: | A01G1/04 | 分类号: | A01G1/04 |
代理公司: | 北京路浩知识产权代理有限公司 11002 | 代理人: | 王朋飞;张庆敏 |
地址: | 100195 北京市海淀*** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 适用于 工业 自动化 规模 虫草 栽培 方法 | ||
技术领域
本发明属于蛹虫草栽培技术领域,具体地,涉及一种适用于工业自动化规模的蛹虫草栽培方法。
背景技术
蛹虫草Cordyceps militaris(L.ex Fr)Link,又名北冬虫夏草、北虫草,寄生在鳞翅目、鞘翅目、双翅目等昆虫蛹体上。生长在低海拔的平原地域,主要分布在东北、华北、西北等地。现代研究表明,蛹虫草含有虫草素(3’-脱氧腺苷)、虫草酸(D-甘露醇)、腺苷、虫草多糖、麦角甾醇、超氧化物歧化酶(SOD)、硒(Se)等化学成分。具有提高人体免疫功能、抗癌、抗菌、抗疲劳、抗衰老、抗惊厥、耐缺氧、镇静、壮阳固肾等作用。同时还具有减肥、瘦身、美容等功效。
近年来,研究表明,人工栽培的蛹虫草化学成分及药理作用与冬虫夏草相似。因此,蛹虫草的开发应用具有极大的潜在市场。人工培养蛹虫草是解决野生虫草来源不足的良好途径。
目前的规模化蛹虫草生产中均采用半人工合成培养基进行规模化栽培,主要的原因是原料(大米、小米、高粱、玉米、奶粉、黄豆等)的来源广泛且容易保存不受季节的限制。但规模化蛹虫草栽培方法还只是实验室栽培方式的数量上的简单放大,从而导致产品规模化生产培养受到很大的限制。
蛹虫草的规模化栽培工艺的生产效率主要决定于栽培容器的选择,当前企业采用的均为罐头瓶或食品级塑料容器的扩大培养,所用的容器为玻璃瓶或耐高温高压的食品级透明塑料容器。培养基分装后,将整个栽培容器进行灭菌,接种,栽培。暗培养和光照培养在同一个栽培空间中完成。这种方法的优点是安全,工艺简单。缺点是培 养瓶质量要求高,投入大,灭菌能耗高,生产场地空间大,工作量大,周转环节多。
发明内容
本发明的目的是提供一种适用于工业自动化规模的蛹虫草栽培方法,以克服现有技术中的不足。
为了实现本发明目的,本发明的蛹虫草栽培方法包括如下步骤:
1)培养基装入灭菌容器后灭菌;
2)采用机械自动化方式接种蛹虫草菌株,进行暗培养;
3)将菌丝完全覆盖培养基表面且无污染的培养基转入栽培容器中进行光照培养;
4)采收。
其中,所述步骤1)的灭菌容器由盒体和覆盖在盒体上的盒盖构成;所述盒体为一端开口的中空柱体,开口向上,盒体内具有可放置培养基的空间;所述盒盖为一端开口的中空柱体,开口向下;所述盒盖的长、宽或直径分别比盒体的大1.0-2.0cm,所述盒盖的高度比盒体的短0.5-1.0cm。
在实际使用时,可根据实际情况合理设计灭菌容器的尺寸大小。
进一步地,所述步骤1)的灭菌容器的盒体高为3.5-4cm,长为15-100cm,宽为15-40cm;所述盒盖高4-5cm,长为16-102cm,宽为16-42cm。
本发明蛹虫草的栽培方法中,步骤1)的灭菌容器的盒体内腔底部铺一层食品级塑料膜,膜宽度≥盒体宽度或直径,膜长度为>盒体长度或直径与两倍的盒体高度之和。
进一步地,所述塑料膜的膜长为盒体长度或直径与两倍的盒体高度之和再加2-5cm。这样便于增菌结束后,能将培养基从容器中完全托出。
本发明蛹虫草的栽培方法中,所述步骤1)的灭菌容器由铁磁性 材料制成。这种设计便于灭菌容器采用机械分装,也便于灭菌工序采用机械自动化方式完成,节省人工,且铁磁性材料耐用,损耗低,导热效果好,高温灭菌过程中,灭菌彻底。
在本发明蛹虫草的栽培方法中,步骤1)的灭菌方法为121℃灭菌15-30min后,延长5-10min后再出炉,出炉后将灭菌容器用棉纱布或棉布完全覆盖,进行自然冷却或强制冷却。
其中,步骤2)所述的机械自动化方式接种接种蛹虫草菌株在上吹风式超净工作台中完成,方法为将传送带安装在超净工作台面上,超净工作台的传送带边安装两套机械手,一套机械手通过电磁吸引完成盒盖的提升和关闭动作;另一套机械手通过脉冲控制完成喷雾式接种操作。
整个的接种工艺由以下几个步骤完成:
a)将灭菌盒放到传送带上;
b)传送带移动灭菌盒到超净台正中位时,静止;
c)通过电磁铁机械手将盒盖提升;
d)脉冲控制的喷雾式接种机械手完成接种操作;
e)通过电磁铁机械手将盒盖关闭;
f)传送带移动灭菌出超净台;
g)将接种好的灭菌盒装箱移走。
在本发明蛹虫草的栽培方法中,步骤2)所述的暗培养方法为:18-22℃,避光培养,待菌丝覆盖整个培养基表面后,停止暗培养。
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