[发明专利]电容式触控装置及感测方法

权利要求书

1.一种电容式触控装置，其特征在于，包括：

一电容式触控面板；以及

一感测装置，耦接该电容式触控面板，且其经配置以感测该电容式触控面板上的静电场变化，并据以产生至少一触控感测信号。

2.根据权利要求1所述的电容式触控装置，其特征在于，该电容式触控面板具有至少一感应电极，而该感测装置包括：

至少一感测单元，其经配置以感测该感应电极上的静电场变化，以产生该触控感测信号。

3.根据权利要求2所述的电容式触控装置，其特征在于，该感测单元包括：

一二极管，其阳极耦接至一偏压，而其阴极则耦接至该感应电极；

一NMOS晶体管，其栅极耦接该二极管的阴极，而其源极则耦接至一接地电位；以及

一电阻，其第一端耦接至一系统电压，而其第二端则耦接至该NMOS晶体管的漏极以产生该触控感测信号。

4.根据权利要求2所述的电容式触控装置，其特征在于，该感测单元包括：

一第一二极管，其阳极耦接至一偏压，而其阴极则耦接至该感应电极；

一第一NMOS晶体管，其栅极耦接该第一二极管的阴极，而其源极则耦接至一接地电位；以及

一第二NMOS晶体管，其栅极与漏极耦接至一系统电压，而其源极则耦接至该第一NMOS晶体管的漏极以产生该触控感测信号。

5.根据权利要求4所述的电容式触控装置，其特征在于，该感测单元还包括：

一第三NMOS晶体管，其栅极与漏极耦接至该系统电压，而其源极则耦接该第一二极管的阳极以提供该偏压；

一第二二极管，其阳极耦接该第三NMOS晶体管的源极；以及

一第四NMOS晶体管，其栅极耦接该第二二极管的阴极，其漏极耦接该第三NMOS晶体管的源极，而其源极则耦接至该接地电位。

6.根据权利要求1所述的电容式触控装置，其特征在于，该感测装置在无采用一独立激励源的条件下感测该电容式触控面板上的静电场变化。

7.根据权利要求6所述的电容式触控装置，其特征在于：

当一介质靠近所感应电极时，则该感应电极上的静电场会发生变化，以使得该触控感测信号具有一第一振幅；

当该介质未靠近该感应电极时，则该感应电极上的静电场不会发生变化，以使得该触控感测信号具有一第二振幅；以及

该第一振幅相异于该第二振幅。

8.根据权利要求2所述的电容式触控装置，其特征在于，该感测单元根据该感应电极上的静电场的变化量来改变该触控感测信号的振幅。

9.根据权利要求1所述的电容式触控装置，其特征在于，所述至少一触控感测信号包括多个触控感测信号，而该电容式触控装置还包括：

一判读单元，耦接该感测装置，且其经配置以接收并处理该些触控感测信号，并据以判断该电容式触控面板上是否有发生单点或多点的触碰事件。

10.一种感测方法，适于一电容式触控面板，其特征在于，该感测方法包括：

感测该电容式触控面板的至少一感应电极上的静电场变化，以获得一感测结果；以及

根据该感测结果以产生至少一触控感测信号。