[发明专利]一种刻蚀后去胶的溶液和方法

说明书

技术领域

本发明涉及半导体发光器件制造技术领域，特别涉及一种刻蚀后去胶的溶液和方法。 

背景技术

刻蚀是半导体发光器制造工艺中的一个相当重要的步骤。所谓刻蚀，实际上就是将涂光刻胶前沉积的薄膜中没有被光刻胶覆盖的部分给去除掉。然而，光刻胶在刻蚀后的去除成为比较大的难题，原因在于光刻胶在经过刻蚀后变得比较坚硬，使得普通的去胶液难以保证将其完全除净，若采用干法去胶则会对晶片表面的氧化铟锡薄膜产生损伤，因此最好采用全湿法来去除光刻胶。 

现有技术中，常见的全湿法去胶采用有机溶液去胶，如丙酮或者N-甲基吡咯烷酮等。 

在实现本发明的过程中，发明人发现现有技术存在以下问题： 

仅仅使用纯的有机溶液无法保证去胶的效果，总会有残留的光刻胶无法去除，从而影响半导体发光器件的质量。使用有机溶剂还会带来操作危险和环境污染。 

发明内容

为了解决现有技术有机溶液无法完全将刻蚀后的光刻胶去除和环境污染的问题，本发明实施例提供了一种刻蚀后去胶的溶液和方法。所述技术方案如下： 

一方面，本发明实施例提供了一种刻蚀后去胶的溶液，所述溶液由碱、醇和蒸馏水组成；其中所述碱的质量分数为10%至25%，所述醇的质量分数为5%至20%，所述蒸馏水的质量分数为60%至70%。 

其中，所述碱为KOH、NaOH、Ca(OH)₂其中任一种。 

其中，所述的醇为甲醇、乙醇、丙醇、异丙醇其中任一种。 

另一方面，本发明实施例还提供了一种刻蚀后去胶的方法，所述方法包括： 

将刻蚀后的晶片放入混合后的溶液中，浸泡后取出冲水并甩干。 

其中，浸泡时间为15分钟至30分钟。 

其中，所述方法还包括：在浸泡前将溶液温度调节到50℃-70℃。 

进一步地，所述方法还包括：在浸泡过程中向溶液中加入超声波。 

本发明实施例提供的技术方案带来的有益效果是： 

通过组成成分为碱、醇和蒸馏水的溶液，将刻蚀后的晶片放入其中浸泡，然后取出冲水并甩干；能够有效去除刻蚀后的光刻胶。 

具体实施方式

为使本发明的目的、技术方案和优点更加清楚，下面对本发明实施方式作进一步地详细描述。 

实施例一 

本发明实施例提供了一种刻蚀后去胶的溶液，该溶液由20wt%KOH、15wt%乙醇和65wt%蒸馏水组成。 

该溶液在配置时，先将KOH加入蒸馏水中，配置碱性溶液；然后向上述溶液中加入乙醇。 

上述溶液使用时，将温度调至50℃，将晶片放入其中浸泡30min，取出冲水甩干。 

优选地，在浸泡过程中向溶液中加入超声波。 

使用该溶液对刻蚀后的晶片进行去胶时，去胶速度快，去胶效果可以达到正常生产要求，同时不使用有机溶剂，对环境无污染，挥发物无毒无害。 

实施例二 

本发明实施例提供了一种刻蚀后去胶的溶液，该溶液由20wt%NaOH、20wt%甲醇和60wt%蒸馏水组成。 

该溶液在配置时，先将NaOH加入蒸馏水中，配置碱性溶液；然后向上述溶液中加入甲醇。 

上述溶液使用时，将温度调至70℃，将晶片放入其中浸泡15min，取出冲水甩干。 

优选地，在浸泡过程中向溶液中加入超声波。 

使用该溶液对刻蚀后的晶片进行去胶时，去胶速度快，效果好，溶剂对环境无污染，挥发物无毒无害。 

实施例三 

本发明实施例提供了一种刻蚀后去胶的溶液，该溶液由10wt%Ca(OH)2、20wt%丙醇和 70wt%蒸馏水组成。 

该溶液在配置时，先将Ca(OH)₂加入蒸馏水中，配置碱性溶液；然后向上述溶液中加入丙醇。 

上述溶液使用时，将温度调至60℃，将晶片放入其中浸泡20min，取出冲水甩干。 

优选地，在浸泡过程中向溶液中加入超声波。 

使用该溶液对刻蚀后的晶片进行去胶时，去胶速度快，效果好，溶剂对环境无污染，挥发物无毒无害。 

实施例四 

本发明实施例提供了一种刻蚀后去胶的溶液，该溶液由25wt%KOH、5wt%异丙醇和70wt%蒸馏水组成。 

该溶液在配置时，先将KOH加入蒸馏水中，配置碱性溶液；然后向上述溶液中加入异丙醇。 

上述溶液使用时，将温度调至70℃，将晶片放入其中浸泡30min，取出冲水甩干。